中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司郑昊琦获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利栅氧化层完整性测试方法及装置、WAT测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117672887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211037646.8，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权栅氧化层完整性测试方法及装置、WAT测试装置是由郑昊琦;朱宏亮;周欣;张党柱;王凤娇设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅氧化层完整性测试方法及装置、WAT测试装置在说明书摘要公布了：一种栅氧化层完整性的测试方法及装置、WAT测试装置。所述方法用于对第一晶圆中第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试；所述方法包括：获取所述第一曝光场区中GOI测试键的失效模式数据信息；所述失效模式数据信息包括：所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第一电压值时对应的第一电流值的信息；以及所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第二电压值时对应的第二电流值的信息；所述第一电压值为所述GOI测试键的工作电压值，所述第二电压值为所述工作电压值的2.3倍；向所述GOI测试键的栅端焊接区施加所述失效模式数据信息中的电压值或电流值，对所述第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试。采用上方案，可以缩短GOI测试所需的时间。
本发明授权栅氧化层完整性测试方法及装置、WAT测试装置在权利要求书中公布了：1.一种栅氧化层完整性的测试方法，用于对第一晶圆中第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试，其特征在于，包括： 获取所述第一曝光场区中GOI测试键的失效模式数据信息；所述失效模式数据信息包括：所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第一电压值时对应的第一电流值的信息；以及所述GOI测试键的栅端焊接区在电压为第二电压值时对应的第二电流值的信息；所述第一电压值为所述GOI测试键的工作电压值，所述第二电压值为所述工作电压值的2.3倍； 向所述GOI测试键的栅端焊接区施加所述失效模式数据信息中的电压值或电流值，对所述第一曝光场区进行栅氧化层完整性测试。
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