中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司史鲁斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117672825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211055770.7，技术领域涉及：H10W74/00；该发明授权封装方法是由史鲁斌设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装方法在说明书摘要公布了：一种封装方法，包括：提供多个晶圆，晶圆包括键合面，晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆和或第二晶圆进行边缘减薄处理，从键合面一侧沿第一晶圆和或第二晶圆的边缘减薄部分宽度的晶圆，使得第一晶圆和或第二晶圆边缘的厚度小于其余部分的厚度；在键合面上形成临时保护膜，露出晶圆边缘；在键合面上形成临时保护膜后，对晶圆进行边缘清洗处理；对晶圆进行边缘清洗处理后，去除键合面上的临时保护膜；去除临时保护膜后，将第一晶圆与第二晶圆相键合，第一晶圆的键合面与第二晶圆的键合面相对设置。本发明提高了封装可靠性。
本发明授权封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，包括： 提供多个晶圆，所述晶圆包括键合面，所述晶圆包括第一晶圆和第二晶圆； 对所述第一晶圆和或所述第二晶圆进行边缘减薄处理，从所述键合面一侧沿所述第一晶圆和或所述第二晶圆的边缘减薄部分宽度的晶圆，使得所述第一晶圆和或所述第二晶圆边缘的厚度小于其余部分的厚度； 在所述键合面上形成临时保护膜，露出所述晶圆边缘； 在所述键合面上形成临时保护膜后，对所述晶圆进行边缘清洗处理； 对所述晶圆进行边缘清洗处理后，去除所述键合面上的临时保护膜； 去除所述临时保护膜后，将所述第一晶圆与所述第二晶圆相键合，所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面相对设置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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