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上海鲲游科技有限公司陈和峰获国家专利权

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龙图腾网获悉上海鲲游科技有限公司申请的专利衍射光波导的制备方法、衍射光波导以及AR设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117666025B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211057795.0,技术领域涉及:G02B6/13;该发明授权衍射光波导的制备方法、衍射光波导以及AR设备是由陈和峰;陈定强;郭旭红;楼歆晔;李坤鹏设计研发完成,并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

衍射光波导的制备方法、衍射光波导以及AR设备在说明书摘要公布了:本发明提供了一种衍射光波导的制备方法,包括:提供一波导基底;在波导基底的表面形成图形化压印胶层;以图形化压印胶层为第一掩模,对波导基底进行第一阶段的刻蚀,以在第一区域形成耦入结构,同时在第二区域形成剩余的图形化压印胶层;利用剩余的图形化压印胶层形成第二掩膜;以第二掩膜为掩模刻蚀波导基底以形成耦出结构;其中,耦出结构的深度大于耦入结构的深度。该方案解决了如何保证波导基底上深度不等的耦入结构和耦出结构成型的同时,满足耦入结构和耦出结构相对位置无明显偏差的要求;且适用于批量制造。

本发明授权衍射光波导的制备方法、衍射光波导以及AR设备在权利要求书中公布了:1.一种衍射光波导的制备方法,其特征在于,包括: 提供一波导基底; 在所述波导基底的一表面形成图形化压印胶层;所述图形化压印胶层包括第一图形化压印结构和第二图形化压印结构;所述第一图形化压印结构形成于所述表面的第一区域,所述第二图形化压印结构形成于所述表面的第二区域;所述第二图形化压印结构的厚度大于所述第一图形化压印结构的厚度; 以所述图形化压印胶层为第一掩模对所述波导基底进行第一阶段的刻蚀,以在所述第一区域的波导基底上形成耦入结构,同时在所述第二区域的波导基底上剩余的图形化压印胶层维持所述第二图形化压印结构的图案; 利用所述剩余的图形化压印胶层形成第二掩模,基于所述第二掩模对所述波导基底进行第二阶段的刻蚀,以在所述第二区域形成耦出结构; 其中,所述第二掩模覆盖所述耦入结构,以保护所述耦入结构在所述第二阶段的刻蚀过程中不被刻蚀,所述耦入结构和所述耦出结构的结构形态不同,所述耦出结构的深度大于所述耦入结构的深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海鲲游科技有限公司,其通讯地址为:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699号4号厂房西区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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