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龙图腾网获悉贵阳嘉瑜光电科技咨询中心申请的专利一种氦氢化硅薄膜的制造装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117587372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311573768.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种氦氢化硅薄膜的制造装置及制造方法是由季泳;张龚磊设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氦氢化硅薄膜的制造装置及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氦氢化硅薄膜的制造装置，在靶材安装座的两端独立设置有氦气入口、氢气入口或氩气入口。制作方法为：将靶材和基底分别安装至靶材安装座和工件上，抽真空，开启烘烤，烘烤温度范围为200℃‑1000℃，烘烤温度到达后，恒温半小时；打开溅射气体，流量设定范围为1‑1000sccm；打开氢氦混合气体，流量设定为1‑1000sccm，氢氦的分子比范围为10％‑90％；溅射完成后，关闭溅射气体，继续通入氢氦混合气体，恒温半小时；降温后开炉，取出基底，将基底在大气中退火，退火温度为200℃‑500℃，恒温半小时，该方法和装置能极大的增加工艺稳定性和提高膜层厚度均匀性。

本发明授权一种氦氢化硅薄膜的制造装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造氦氢化硅薄膜的方法，其特征在于：采用氦氢化硅薄膜制造装置，装置包括抽气系统，与抽气系统贯通连接的真空室，在真空室的顶端固定有工件，底端固定有靶材安装座，靶材安装座内部设置有磁控电源和磁控源配合，在靶材安装座的两侧独立设置有氦气入口、氢气入口和氩气入口； 制造方法包括以下步骤： 步骤1：将靶材和基底分别安装至靶材安装座和工件上，抽真空，开启烘烤，烘烤温度范围为200℃-1000℃，烘烤温度到达后，恒温半小时； 步骤2：打开溅射气体，流量设定范围为1-1000sccm；打开氢氦混合气体，流量设定为1-1000sccm，氢氦的分子比范围为10%-90%；打开氢氦混合气体的操作具体为：通过独立设置的氦气入口和氢气入口向真空室内通入氢氦混合气体，所述氦气入口与氢气入口根据主溅射离子的不同而采用如下分布方式之一： 当以氦离子为主溅射离子时，所述氦气入口与氢气入口分布在靶材的两侧或同侧； 当以氩离子为主溅射离子时，在靶材一侧设置氩气入口，氢气入口和氦气入口分布在靶材的两侧或同侧； 步骤3：溅射完成后，关闭溅射气体，继续通入氢氦混合气体，恒温半小时； 步骤4：降温后开炉，取出基底，将基底在大气中退火，退火温度为200℃-500℃，恒温半小时； 步骤5：取出基底，完成氦氢化硅薄膜的镀制。

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