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龙图腾网获悉昆明理工大学;昆明理工恒达科技股份有限公司申请的专利一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117568776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311746261.3，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法是由何亚鹏;黄惠;赵丹荻;翟重渊;郭忠诚;陈步明设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法，属于电极材料技术领域。本发明通过阳极氧化金属钛基体原位制备TiO2纳米管得到TiTiO2纳米管梯度基体；将TiTiO2纳米管梯度基体埋入碳质粉末中，在保护气氛下进行高温碳化处理得到TiTiC纳米管梯度基体；利用化学气相沉积法将掺硼金刚石薄膜沉积到TiTiC纳米管梯度基体表面，得到梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极。本发明通过在钛基体上原位预先合成TiC纳米管，可以避免常规化学气相沉积过程中不均匀TiC和TiH2相的产生，TiC相梯度层与金刚石颗粒之间形成嵌入式结构，降低由于各物相热膨胀系数和晶格失配导致的结合力较差问题，显著提升钛基掺硼金刚石薄膜电极的使用寿命。

本发明授权一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备方法，其特征在于，具体步骤如下： 1金属钛基体置于NaOH溶液中碱处理，然后置于HNO3-HF-H2O溶液中预处理，依次经丙酮和去离子水超声清洗得到预处理金属钛基体； 2将预处理金属钛基体置于酸液中水热反应；所述酸液为HCl溶液、H2SO4溶液或HCl-H2SO4混酸溶液，HCl溶液的质量浓度为3~17%，H2SO4溶液的质量浓度为10~48%，HCl-H2SO4混酸溶液中HCl质量浓度为2~15%，H2SO4质量浓度为5~40%；水热反应的温度为80~120℃，时间为1~4h； 3以水热反应后的金属钛基体为阳极，以不锈钢、钛片或铂片为阴极，在乙二醇-氟化铵-H2O溶液中进行直流阳极氧化反应，得到TiTiO2纳米管梯度基体； 4将TiTiO2纳米管梯度基体埋入碳质粉末中，在保护气氛下进行高温碳化处理得到TiTiC纳米管梯度基体；所述碳质粉末为石墨、焦炭、炭黑、树脂碳的一种或多种，高温碳化处理的温度为1000~1800℃，时间为4~12h； 5利用化学气相沉积法将掺硼金刚石薄膜沉积到TiTiC纳米管梯度基体表面，得到梯度钛基掺硼金刚石薄膜电极；所述化学气相沉积法为热丝化学气相沉积法，热丝化学气相沉积法的反应气体为氢气-甲烷混合气体，压强在2~10kPa，灯丝温度为1600~2200℃，TiTiC纳米管梯度基体温度为700~850℃，沉积时间为3~10h，掺硼金刚石薄膜中硼掺杂质量为0.05%~0.2%，掺硼金刚石薄膜的厚度为1~10μm。

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