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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利晶圆混合键合方法及磨削装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117558623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210929359.1，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权晶圆混合键合方法及磨削装置是由何二威;阎大勇;赵娅俊;王金恩;刘敏;史鲁斌;王阳设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆混合键合方法及磨削装置在说明书摘要公布了：一种晶圆混合键合方法及磨削装置，其中方法包括：自第一面朝第二面方向对初始边缘区进行第一磨削处理以形成第一晶圆结构，第一晶圆结构包括功能区和环绕功能区的边缘区，边缘区上具有第一磨削口，第一磨削口的侧壁与第一面的夹角呈钝角；在第一介质层内形成第一导电结构，第一介质层表面暴露出第一导电结构表面；提供第二晶圆结构，第二晶圆结构包括第二介质层和位于第二介质层内的第二导电结构，第二介质层表面暴露出第二导电结构表面；对第一晶圆结构和第二晶圆结构进行键合处理，使第二介质层与第一介质层相键合，且第一导电结构与第二导电结构相键合，提高第一导电结构的均匀性。

本发明授权晶圆混合键合方法及磨削装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆混合键合方法，其特征在于，包括： 提供初始第一晶圆结构，所述初始第一晶圆结构包括功能区和环绕所述功能区的初始边缘区，所述初始第一晶圆结构包括第一晶圆以及位于所述第一晶圆上的第一介质层，所述第一晶圆具有相对的第一面和第二面，所述第一介质层位于所述第一面上； 自所述第一面朝所述第二面方向对所述初始边缘区进行第一磨削处理以形成第一晶圆结构，所述第一晶圆结构包括所述功能区和环绕所述功能区的边缘区，所述边缘区上具有第一磨削口，所述第一磨削口的侧壁与所述第一面的夹角呈钝角； 在所述第一介质层内形成第一导电结构，所述第一介质层表面暴露出所述第一导电结构表面； 提供第二晶圆结构，所述第二晶圆结构包括第二介质层和位于所述第二介质层内的第二导电结构，所述第二介质层表面暴露出所述第二导电结构表面； 对所述第一晶圆结构和所述第二晶圆结构进行键合处理，使所述第二介质层与所述第一介质层相键合，且所述第一导电结构与所述第二导电结构相键合。

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