北京大学王茂俊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117558620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210926088.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法是由王茂俊;刘轩;沈波设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，属于宽禁带半导体材料领域。本发明通过在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界处进行氢等离子体处理，使H离子与重掺p型GaN层中Mg受主形成Mg‑H复合体，同时采用热退火处理使H离子在重掺p型GaN中扩散，形成在主结区至结边缘之间空穴浓度梯度渐变分布，从而实现JTE结终端。与现有结终端技术相比，本发明无刻蚀、低损伤，可以有效削弱电场集聚效应提高器件耐压。
本发明授权一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法在权利要求书中公布了：1.一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，所述GaN全垂直结构pn二极管从上往下依次包括：外延的重掺p型GaN层、轻掺n型GaN漂移层、重掺n型GaN电流扩展层和同质重掺n型GaN衬底，阳极金属设置在最上层重掺p型GaN层表面形成欧姆接触，阴极金属设置在最下层同质重掺n型GaN衬底背面形成欧姆接触，其特征在于，在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界处进行氢等离子体处理，使氢离子与重掺p型GaN层中Mg受主形成Mg-H复合体从而钝化氢处理区域p型GaN，同时采用热退火处理使氢离子在重掺p型GaN中扩散形成梯度分布，从而在主结区至结边缘之间形成空穴浓度梯度渐变分布，最终实现JTE结终端。
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