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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利一种氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311612644.1，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜的制备方法是由熊政伟;高志鹏;刘潇如;竹文坤;魏占涛;李俊;万莉莉设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜的制备方法，包括：利用激光烧蚀的方法在氧化物基片上交替制备氧化物缓冲层，在氧化物缓冲层上制备氧化物外延薄膜，使用金属靶材在氧化物外延薄膜上嵌埋金属纳米颗粒，将未嵌埋有金属纳米颗粒的氧化物外延膜记为膜层A，将嵌埋有金属纳米颗粒的氧化物外延薄膜记为膜层B；分别使用氧化物靶材和金属靶材交替制备膜层A和膜层B，在氧化物基底上得到ABAB…A的多层氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜。本发明制备出的电介质与金属纳米颗粒复合薄膜结构稳定，易操控，实验重复性好、无毒、操作安全性高。

本发明授权一种氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：利用激光烧蚀的方法在氧化物基片上交替制备氧化物缓冲层，在氧化物缓冲层上制备氧化物外延薄膜，使用金属靶材在氧化物外延薄膜上嵌埋金属纳米颗粒，将未嵌埋有金属纳米颗粒的氧化物外延膜记为膜层A，将嵌埋有金属纳米颗粒的氧化物外延薄膜记为膜层B；分别使用氧化物靶材和金属靶材交替制备膜层A和膜层B，在氧化物基底上得到ABAB…A的多层氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜； 具体包括以下步骤： 步骤一、对氧化物基片进行退火； 步骤二、对氧化物靶材和金属靶材进行清洗； 步骤三、使用KrF准分子激光先烧蚀氧化物靶材，在氧化物基片上外延生长一层氧化物缓冲层； 步骤四、使用激光束轰击氧化物靶材，实现在氧化物缓冲层上外延生长氧化物外延薄膜； 步骤五、使用激光束烧蚀金属靶材，从而实现金属纳米颗粒在氧化物外延薄膜上的可控嵌埋，将未嵌埋有金属纳米颗粒的氧化物外延膜记为膜层A，将嵌埋有金属纳米颗粒的氧化物外延薄膜记为膜层B； 步骤六、重复步骤四-步骤五，重复交替氧化物外延薄膜的生长和金属纳米颗粒的嵌埋，从而在氧化物基底上得到ABAB…A的多层氧化物单晶与金属纳米颗粒复合薄膜； 所述步骤一中，对氧化物基片进行退火的具体方法包括： 首先将氧化物基片放入脉冲激光沉积系统主腔中的样品台上，真空腔的背底真空小于1×10-7Pa，由此开始对基片进行高温退火；退火过程为：以2~10℃min的速率从室温升温至600~900℃，然后向真空腔体中通入氧气，通过气体流量控制器调节真空腔体压强为5~20Pa，整个退火过程持续20~40min，然后结束退火； 所述步骤三中，镀膜前的背景真空度度1×10-7Pa，镀膜过程中的工作真空度为1×10-6Pa，氧化物基片的温度为500~700℃，KrF准分子激光烧蚀氧化物靶材的激光激光脉冲频率为1~10Hz，激光能量密度为1~10Jcm3； 所述步骤四中，KrF准分子激光轰击氧化物靶材的激光激光脉冲频率为1~10Hz，激光能量密度为1~10Jcm3； 所述步骤四中，热退火参数为5~20Pa氧气压进行5~20min的热退火； 所述步骤四中，KrF准分子激光烧蚀金属靶材的激光频率为1~10Hz，激光能量密度为1~10Jcm2、激光作用脉冲数为100~1000脉冲，即金属量子点的嵌埋数量为100~1000； 所述氧化物基片为单晶SrTiO3导电基片，所述氧化物靶材为纯度大于99.99wt%的单晶SrTiO3陶瓷靶材，所述金属靶材为纯度大于99.99wt%的金属Fe靶材。

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