西北工业大学刘小网获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利原位激活室温长余辉发光的SiO2纳米材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117487537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311273802.5，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权原位激活室温长余辉发光的SiO2纳米材料、制备方法及其应用是由刘小网;陈雪设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本原位激活室温长余辉发光的SiO2纳米材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种原位激活室温长余辉发光的SiO2纳米材料、制备方法及其应用，解决了目前SiO2长余辉发光材料制备方法中形貌不可控的技术问题。本发明直接选用形貌均匀的SiO2纳米材料为载体，利用高压水热手段对其与发光材料进行处理，将发光材料进行原位封装，即通过载体表面SiO2水解为硅酸再聚合为SiO2的过程实现对发光材料的原位封装，依靠发光体与SiO2间强烈的氢键作用实现发光体本身的长余辉发射或者被分子敏化的SiO2本身的缺陷发光；整个过程中，发光材料不再参与SiO2纳米材料的合成过程，因此也不会影响SiO2纳米材料的形核过程，最终形成的SiO2长余辉发光材料形貌完全取决于选用的载体形貌，可获得理想的当前SiO2长余辉发光材料。
本发明授权原位激活室温长余辉发光的SiO2纳米材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种原位激活室温长余辉发光的SiO2纳米材料，其特征在于：以形貌均匀的SiO2纳米材料为载体，通过载体表面SiO2水解为硅酸再聚合为SiO2的过程实现对具有长余辉发光潜力的发光分子的原位封装，外层为致密的二次水解SiO2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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