中国科学院物理研究所王琴琴获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利晶圆级MoS2连续薄膜的逐层范德华外延生长获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117480274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180095131.0，技术领域涉及：C23C16/448；该发明授权晶圆级MoS2连续薄膜的逐层范德华外延生长是由王琴琴;张广宇;杨蓉;时东霞;孙刚设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆级MoS2连续薄膜的逐层范德华外延生长在说明书摘要公布了：一种衬底上的MoS2连续薄膜，其特征在于，所述MoS2连续薄膜的晶畴尺寸分别大于100μm层数＝1，10μm层数≥2。本发明的高质量MoS2连续薄膜在衬底上具有不同的层数层数≥2。这些薄膜可以在大面积例如4英寸晶圆上连续。该薄膜可以基于化学气相沉积方法来制备。这些薄膜可用于电气和电子设备例如高性能薄膜晶体管、逻辑设备、传感器。
本发明授权晶圆级MoS2连续薄膜的逐层范德华外延生长在权利要求书中公布了：1.一种MoS2连续薄膜的制备方法，其特征在于，所述MoS2连续薄膜为衬底上的、晶畴尺寸大于10μm的多层连续薄膜，所述衬底为蓝宝石；并且所述多层连续薄膜的层数≥3；其中，所述制备方法包括以下步骤： 1S和MoO3的升华； 2通过不同的载质气体转移S和MoO3，其中，所述S的载质气体为Ar2，所述MoO3的载质气体为O2； 3S与MoO3进行反应生成MoS2，所述S的反应温度为120～140℃，所述MoO3的反应温度为540℃～570℃； 4在衬底上形成单层MoS2，且生长温度为760～930℃；和 5提高生长温度并在衬底上形成多层MoS2，所述生长温度为820～970℃。
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