TCL华星光电技术有限公司李林霜获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利集成电路基板的制备方法及集成电路基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211737763.5，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权集成电路基板的制备方法及集成电路基板是由李林霜;朱钦富;段淼;陈黎暄设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路基板的制备方法及集成电路基板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种集成电路基板的制备方法及集成电路基板，涉及半导体制造技术领域，用以改善采用旋涂方式无法适用大尺寸高密度的集成电路降低反射率的问题。该制备方法包括：提供一基底，基底包括衬底和待蚀刻层，待蚀刻层位于衬底上，待蚀刻层具有第一表面；在第一表面上采用化学气相沉积的方式形成硅氧烷基化的抗反射膜层，抗反射膜层具有第二表面；在第二表面上形成光阻层；对光阻层进行曝光以及显影，形成图案化光阻层；利用图案化光阻层为掩膜，对抗反射膜层以及待蚀刻层进行第一次蚀刻，直至露出衬底；对图案化光阻层以及剩余的抗反射膜层进行第二次蚀刻，直至将图案化光阻层和剩余的抗反射膜层全部移除，得到集成电路基板。
本发明授权集成电路基板的制备方法及集成电路基板在权利要求书中公布了：1.一种集成电路基板的制备方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括衬底和待蚀刻层，所述待蚀刻层位于所述衬底上，所述待蚀刻层具有第一表面； 在所述第一表面上采用化学气相沉积的方式形成硅氧烷基化的抗反射膜层，所述抗反射膜层覆盖整个所述第一表面，且所述抗反射膜层具有第二表面；所述抗反射膜层由含有双键或者环氧基团的有机硅氧烷单体经交联固化形成； 在所述第二表面上形成光阻层，所述光阻层覆盖整个所述第二表面； 对所述光阻层进行曝光以及显影，形成图案化光阻层； 利用所述图案化光阻层为掩膜，对自所述图案化光阻层露出的抗反射膜层以及与自所述图案化光阻层露出的抗反射膜层对应的部分的待蚀刻层进行第一次蚀刻，直至露出衬底； 对所述图案化光阻层以及剩余的抗反射膜层进行第二次蚀刻，直至将所述图案化光阻层和剩余的抗反射膜层全部移除，得到集成电路基板。
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