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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利存算转换电路及阻变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210836959.3，技术领域涉及：G11C5/10；该发明授权存算转换电路及阻变存储器是由张涌;曹国忠;潘天龙设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本存算转换电路及阻变存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存算转换电路，包括移位加法单元、电容阵列单元、比较单元和SAR控制逻辑单元，通过移位加法单元对输入的模拟信号进行移位加权相加处理，以得到处理后的第一电压信号；容阵列单元对外部输入的参考电压信号进行处理，以得到处理后的第二电压信号；比较单元的第一输入端与移位加法单元的输出端相连接，比较单元的第二输入端与电容阵列单元的输出端相连接，以便对第一电压信号和第二电压信号进行比较，以输出比较结果；SAR控制逻辑单元的输入端与比较单元的输出端相连接，以便根据比较结果输出数字信号；由此，通过模拟电路实现移位相加功能，可以减小传统数字移位加法器造成的延迟及面积开销，从而提高转换效率。

本发明授权存算转换电路及阻变存储器在权利要求书中公布了：1.一种存算转换电路，其特征在于，包括： 移位加法单元，所述移位加法单元对输入的模拟信号进行移位加权相加处理，以得到处理后的第一电压信号； 电容阵列单元，所述电容阵列单元对外部输入的参考电压信号进行处理，以得到处理后的第二电压信号； 比较单元，所述比较单元的第一输入端与所述移位加法单元的输出端相连接，所述比较单元的第二输入端与所述电容阵列单元的输出端相连接，以便对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行比较，以输出比较结果； SAR控制逻辑单元，所述SAR控制逻辑单元的输入端与所述比较单元的输出端相连接，以便根据所述比较结果输出数字信号； 其中，所述移位加法单元包括电容阵列和N个控制开关，所述N个控制开关中的每一个控制开关对应设置在所述电容阵列中的每一列之间，其中，所述电容阵列包括： 第一电容； N个权重位电容，所述N个权重位电容中的每一个权重位电容之间并联连接后再与所述第一电容并联连接； N个MOS管，所述N个MOS管中的每一个MOS管与所述N个权重位电容中的每一个权重位电容一一对应串联连接； 其中，所述权重位电容的权重从低到高以2为等比系数依次递增； 其中，所述N个控制开关同时断开时，控制所述N个MOS管相应列同时导通，以便在不同列同时接收多位输入信号中的一位输入信号； 其中，所述N个控制开关同时闭合时，控制所述N个MOS管的相应列导通，以便在同一列不同时间接收多位输入信号。

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