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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利复合粒子、其制造方法及其用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037791.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权复合粒子、其制造方法及其用途是由藤田雅人;伊藤祐司;井上浩文设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合粒子、其制造方法及其用途在说明书摘要公布了：本发明的课题是提供一种碳被覆Si‑C复合粒子，其能够兼具维持锂离子二次电池的高Si利用率和抑制由经时氧化引起的初始库仑效率劣化。本发明的碳被覆Si‑C复合粒子，在含有碳材料和硅的Si‑C复合粒子表面存在碳质层，碳被覆率为70％以上，BET比表面积为200m2g以下，在所述碳被覆Si‑C复合粒子的拉曼光谱中，R值IDIG为0.30以上且1.10以下，由Si引起的峰存在于450～495cm‑1，将该峰的强度表示为ISi时，ISiIG为0.15以下，所述碳被覆Si‑C复合粒子在使用Cu‑Kα射线的粉末XRD测定的XRD谱中，Si111面的半峰宽为3.00度以上，SiC111面的峰强度Si111面的峰强度为0.01以下。

本发明授权复合粒子、其制造方法及其用途在权利要求书中公布了：1.一种碳被覆Si-C复合粒子，其在含有碳材料和硅的Si-C复合粒子表面存在碳质层， 所述Si-C复合粒子表面的所述碳质层的被覆率即碳被覆率为70%以上，碳被覆率通过以下方法计算：根据截面SEM照片或截面TEM照片，算出Si-C复合粒子的粒子外周长和覆盖Si-C复合粒子的碳质层长度，并根据两者的比例算出碳被覆率， 碳被覆Si-C复合粒子的BET比表面积为200m2g以下， 在所述碳被覆Si-C复合粒子的拉曼光谱中， R值即ID／IG为0.30以上且1.10以下，ID为D带强度即1360cm-1附近的峰强度，IG为G带强度即1600cm-1附近的峰强度， 由Si引起的峰存在于450~495cm-1，将该峰的强度表示为ISi时， ISi／IG为0.15以下， 所述碳被覆Si-C复合粒子在使用Cu-Kα射线的粉末XRD测定的XRD谱中， Si111面的半峰宽为3.00度以上， SiC111面的峰强度／Si111面的峰强度为0.01以下。

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