株式会社电装大泽青吾获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置、半导体模组及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115699296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180040056.8，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权半导体装置、半导体模组及半导体装置的制造方法是由大泽青吾;大仓康嗣设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、半导体模组及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置，具备：半导体元件11，在表面11a具有第1电极焊盘111以及多个第2电极焊盘112，在将表面和背面11b相连的方向上产生电流；密封件12，由绝缘性的树脂材料构成，将半导体元件的表面的一部分以及侧面11c覆盖；以及延伸设置布线152，在半导体元件之上配置在密封件的内部或密封件之上，与第2电极焊盘电连接并且从半导体元件的外轮廓的内侧延伸设置至外侧。
本发明授权半导体装置、半导体模组及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备: 半导体元件，在表面具有第1电极焊盘以及多个第2电极焊盘，在将上述表面和背面相连的方向上产生电流； 密封件，由绝缘性的树脂材料构成，将上述半导体元件的上述表面的一部分以及侧面覆盖；以及 延伸设置布线，在上述半导体元件之上配置在上述密封件的内部或上述密封件之上，与上述第2电极焊盘电连接，并且从上述半导体元件的外轮廓的内侧延伸设置至外侧， 将上述密封件中的将上述半导体元件的上述表面一侧覆盖的面设为一面，上述一面被由与上述密封件不同的绝缘性的树脂材料构成的绝缘层覆盖， 上述半导体元件在上述表面具有比上述第2电极焊盘靠上述半导体元件的外轮廓侧的电场缓和层以及将上述电场缓和层和上述表面的一部分覆盖的元件上绝缘膜， 上述密封件将上述元件上绝缘膜覆盖。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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