常州银河世纪微电子股份有限公司徐小艳获国家专利权
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龙图腾网获悉常州银河世纪微电子股份有限公司申请的专利一种带有温度补偿的过压保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224138717U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520175669.8，技术领域涉及：H02H3/20；该实用新型一种带有温度补偿的过压保护电路是由徐小艳设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有温度补偿的过压保护电路在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种带有温度补偿的过压保护电路，包括：输入模块、控制模块以及输出模块，输入模块与控制模块连接，控制模块与输出模块连接；输入模块，用于感知电压水平并调整信号；控制模块根据调整后的信号控制MOSFET的开关状态以实现过压保护；输出模块，用于反馈保护状态的变化情况。通过实施本发明实施例的电路可实现充分利用器件不同的温度特性，使得整个系统适应不同的环境达到稳定的保护效果。
本实用新型一种带有温度补偿的过压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种带有温度补偿的过压保护电路，其特征在于，包括：输入模块、控制模块以及输出模块，所述输入模块与所述控制模块连接，所述控制模块与所述输出模块连接；所述输入模块，用于感知电压水平并调整信号；所述控制模块根据调整后的信号控制MOSFET的开关状态以实现过压保护；所述输出模块，用于反馈保护状态的变化情况； 所述输入模块包括分压电阻R1、分压电阻R2；所述分压电阻R1与所述分压电阻R2的一端连接；所述分压电阻R2的另一端与所述控制模块连接；所述控制模块包括稳压管D1以及开关件，所述稳压管D1与所述分压电阻R2连接；所述稳压管D1与所述开关件连接；所述开关件与所述输出模块连接；所述开关件包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极与所述稳压管D1连接；所述MOS管Q1的漏极与所述输出模块连接；所述MOS管Q1的源极接地；所述控制模块还包括电阻R3，所述电阻R3的一端连接在所述MOS管Q1的栅极与所述稳压管D1之间，所述电阻R3的另一端接地；所述输出模块包括负载电阻R4，所述负载电阻R4与所述MOS管Q1的漏极连接。
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