厦门海赛米克新材料科技有限公司罗明达获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门海赛米克新材料科技有限公司申请的专利一种多层陶瓷件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224123255U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520708991.2，技术领域涉及：H01G4/30；该实用新型一种多层陶瓷件是由罗明达;张财盛设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层陶瓷件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种多层陶瓷件，包括若干生瓷层，生瓷层的上下两侧设置有第一金属线路层和第二金属线路层，生瓷层上设置有至少一个容置腔，容置腔内设置有与第一金属线路层和第二金属线路层电连接的连接件；第一金属线路层和第二金属线路层相错设置，多个生瓷层相互上下叠置后，未与第一金属线路层重叠或未与第二金属线路层重叠的区域为低密度区，仅与第一金属线路层或第二金属线路层重叠的区域为密度缓冲区，均与第一金属线路层和第二金属线路层重叠的区域为高密度区，密度缓冲区设置在高密度区和低密度区之间；本实用新型通过在高密度区与低密度区之间有密度缓冲区，让金属化在重叠区域有密度缓冲区，减小收缩段差，防止陶瓷收缩差异过大而开裂。
本实用新型一种多层陶瓷件在权利要求书中公布了：1.一种多层陶瓷件，其特征在于：包括若干相互叠置的生瓷层，各所述生瓷层的上下两侧均分别设置有第一金属线路层和第二金属线路层，且各所述生瓷层上设置有至少一个贯穿所述生瓷层上下两侧的容置腔，所述容置腔内设置有与所述第一金属线路层和所述第二金属线路层电连接的连接件,所述第一金属线路层和所述第二金属线路层相错设置，多个所述生瓷层相互上下叠置后，未与所述第一金属线路层重叠或未与所述第二金属线路层重叠的区域为低密度区，仅与所述第一金属线路层或所述第二金属线路层重叠的区域为密度缓冲区，均与所述第一金属线路层和所述第二金属线路层重叠的区域为高密度区，所述密度缓冲区设置在所述高密度区和所述低密度区之间。
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