上海天臣微纳米科技股份有限公司;上海天臣光电科技有限公司胡松岩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天臣微纳米科技股份有限公司;上海天臣光电科技有限公司申请的专利基准电路、标签芯片、电子标签和商品获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224122938U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521174520.4，技术领域涉及：G05F1/567；该实用新型基准电路、标签芯片、电子标签和商品是由胡松岩;岑玮;徐林奕晖;刘春艳设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基准电路、标签芯片、电子标签和商品在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种基准电路、标签芯片、电子标签和商品，基准电路包括：MOS管M4、三极管Q4、三极管Q5、运算放大器C1、电阻R4和电阻网络；MOS管M4的栅极连接运算放大器的输出端，MOS管M4的源极漏极连接电压VDD，MOS管M4的漏极源极与电阻R4连接，三极管Q4所在的第一支路、三极管Q5所在的第二支路和电阻网络相互并联在电阻R4与电压VSS之间；第一支路、第二支路分别连接运算放大器的两个输入端，三极管Q4、三极管Q5的基极和集电极连接电压VSS，通过电阻网络输出基准电压VREF。本实用新型整体电路更加紧凑，适合对面积与功耗要求较高的应用中使用。
本实用新型基准电路、标签芯片、电子标签和商品在权利要求书中公布了：1.一种基准电路，其特征在于，包括：MOS管M4、三极管Q4、三极管Q5、运算放大器C1、电阻R4和电阻网络1； 所述MOS管M4的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述MOS管M4的源极漏极连接电压VDD，所述MOS管M4的漏极源极与所述电阻R4连接，三极管Q4所在的第一支路2、三极管Q5所在的第二支路3和电阻网络1相互并联在所述电阻R4与电压VSS之间； 第一支路2、第二支路3分别连接所述运算放大器C1的两个输入端，所述三极管Q4、所述三极管Q5的基极和集电极连接电压VSS，通过所述电阻网络1输出基准电压VREF。
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