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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121712167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610212724.5，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权倒装LED芯片及其制备方法是由李文涛;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：蓝宝石衬底，设于其正面上的外延层、电流阻挡层、第一反射层；外延层上形成有发光结构；发光结构在蓝宝石衬底上的正投影具有第一外边缘和次外边缘，第一反射层在蓝宝石衬底上的正投影具有第二外边缘，第二外边缘位于第一外边缘的外侧，且第一外边缘与第二外边缘之间的距离≥3μm；蓝宝石衬底的背面设有反射结构；反射结构在蓝宝石衬底上的正投影具有靠近出光面的第三外边缘以及远离出光面的第四外边缘，次外边缘位于第三外边缘的外侧；第四外边缘位于第二外边缘的外侧，且第四外边缘与第二外边缘之间的距离≥2μm。实施本发明，可提升发光亮度。

本发明授权倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底，层叠于所述蓝宝石衬底的正面上的外延层、电流阻挡层、第一反射层、第一绝缘层、P型金属连接层、N型金属连接层、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层； 其中，所述外延层包括依次层叠于所述蓝宝石衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述外延层上形成有发光结构、隔离槽和N型导电台阶，所述N型导电台阶设于所述发光结构的一侧并暴露所述N型半导体层；所述第一反射层覆盖所述发光结构，所述发光结构在所述蓝宝石衬底上的正投影具有第一外边缘和次外边缘，所述第一反射层在所述蓝宝石衬底上的正投影具有第二外边缘，所述第二外边缘位于所述第一外边缘的外侧，且所述第一外边缘与所述第二外边缘之间的距离≥3μm； 所述蓝宝石衬底的背面设有反射结构，所述发光结构在所述蓝宝石衬底上的正投影位于所述反射结构在所述蓝宝石衬底上的正投影的内部，所述蓝宝石衬底的背面具有出光面，所述反射结构围绕所述出光面设置； 所述反射结构在所述蓝宝石衬底上的正投影具有靠近所述出光面的第三外边缘以及远离所述出光面的第四外边缘，所述次外边缘位于所述第三外边缘的外侧；所述第四外边缘位于所述第二外边缘的外侧，且所述第四外边缘与所述第二外边缘之间的距离≥2μm。

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