江西兆驰半导体有限公司李文涛获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121712166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610194832.4，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法是由李文涛;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：衬底、外延层、第一绝缘层、第一反射层、第二绝缘层、P型金属连接层、N型金属连接层、第三绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层；隔离槽的侧壁和或底壁上依次层叠热缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；所述热缓冲层的热膨胀系数小于所述N型半导体层的热膨胀系数，且大于所述第一绝缘层的热膨胀系数；所述热缓冲层的热膨胀系数小于所述衬底的热膨胀系数。实施本发明，可提升倒装LED芯片的可靠性。
本发明授权高可靠性的倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性的倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底，层叠于所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第一反射层、第二绝缘层、P型金属连接层、N型金属连接层、第三绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层； 其中，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述外延层上形成发光结构、N型导电台阶和隔离槽，所述N型导电台阶设于所述发光结构的一侧，所述隔离槽围绕所述发光结构设置，所述隔离槽的侧壁暴露所述N型半导体层，所述隔离槽的底壁暴露所述衬底； 所述隔离槽的侧壁和或底壁上依次层叠热缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；所述热缓冲层的热膨胀系数小于所述N型半导体层的热膨胀系数，且大于所述第一绝缘层的热膨胀系数；所述热缓冲层的热膨胀系数小于所述衬底的热膨胀系数； 所述热缓冲层包括交替层叠的第一SiO2层和HfO2层，其周期数为2~4； 单个所述第一SiO2层的厚度为100Å~200Å，单个所述HfO2层的厚度为50Å~100Å。
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