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龙图腾网获悉北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请的专利一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121646344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610131782.5，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法是由曾传滨;田大庆设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法，包括：提供半导体芯片，所述芯片制作有功能结构及第一小孔；将所述芯片减薄到预设厚度或刻蚀阻挡层；将所述芯片背面涂胶，与芯片正面已有功能结构及对准结构对准、曝光、显影；从所述芯片背面刻蚀超深孔，到第一小孔停止刻蚀；将所述超深孔填充第二填充材料，所述第二填充材料是低温度膨胀系数材料或等效低温度膨胀系数材料；获得有超深孔的减薄芯片。本发明具有减小尺寸较大的超深孔占用制作芯片功能结构的面积、防止器件等功能结构由于温度变化导致应力失效、芯片的可靠性和稳定性高等优点。

本发明授权一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法，其特征在于，包括： 提供芯片，所述芯片为半导体芯片，所述芯片制作有功能结构及第一小孔； 将所述芯片减薄到预设厚度或刻蚀阻挡层； 将所述芯片背面涂胶，与芯片正面已有功能结构及对准结构对准、曝光、显影； 从所述芯片背面刻蚀超深孔，到第一小孔停止刻蚀； 将所述超深孔填充第二填充材料，所述第二填充材料是低温度膨胀系数材料或等效低温度膨胀系数材料； 获得有超深孔的减薄芯片； 所述第一小孔与所述芯片正面外部连接的方式包括： 所述第一小孔直接与所述芯片外部连接； 或所述第一小孔连接至第三小孔后与所述芯片外部连接； 或所述第一小孔通过一个或多个第二小孔连接至第三小孔后与外部连接； 或所述第一小孔连接至连接垫后与外部连接； 或所述第一小孔通过一个或多个第二小孔连接至连接垫后与外部连接； 与芯片正面外部连接的所述第一小孔、或所述第三小孔、或所述连接垫的上表面制作有第一连接结构易结合层；所述芯片的正面其它区域制作有第一非连接结构易结合层。

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