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武汉恩达通科技有限公司顾共恩获国家专利权

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龙图腾网获悉武汉恩达通科技有限公司申请的专利一种EML激光器的耦合方法、EML激光器及光模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121355698B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511885603.9,技术领域涉及:H01S5/12;该发明授权一种EML激光器的耦合方法、EML激光器及光模块是由顾共恩设计研发完成,并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种EML激光器的耦合方法、EML激光器及光模块在说明书摘要公布了:本发明公开了一种EML激光器的耦合方法、EML激光器及光模块,该方法包括:将透镜耦合至EML激光器的输出光功率最大值处,并保持透镜位置;扫描电吸收反向偏置电压VEA在预设电压范围内的输出光功率AOP;计算输出光功率AOP对电吸收反向偏置电压VEA的斜率值,并确定最大斜率值对应的VEA;将最大斜率值对应的VEA设置为EML激光器的工作电压,并再次将透镜耦合;固定透镜位置;将最大斜率值对应的VEA设置到EML激光器的固件中并保存。本发明将EML激光器的透镜耦合与电吸收反向偏置电压VEA的调测结合进行,通过两次透镜耦合以及一次VEA调测,能够提升调测效率,确保EML激光器处于最佳工作状态,提升了光模块产品的输出性能以及生产效率。

本发明授权一种EML激光器的耦合方法、EML激光器及光模块在权利要求书中公布了:1.一种EML激光器的耦合方法,其特征在于,将EML激光器的透镜耦合与电吸收反向偏置电压VEA的调测结合进行,该方法包括: 将透镜耦合至EML激光器的输出光功率最大值处,并保持透镜位置; 扫描电吸收反向偏置电压VEA在预设电压范围内的输出光功率AOP; 计算输出光功率AOP对电吸收反向偏置电压VEA的斜率值,并确定最大斜率值对应的VEA; 将最大斜率值对应的VEA设置为EML激光器的工作电压,并再次将透镜耦合至输出光功率最大值处; 固定透镜位置; 将最大斜率值对应的VEA设置到EML激光器的固件中并保存。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉恩达通科技有限公司,其通讯地址为:430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号移动终端产业园16号多层厂房5层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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