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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种亚稳相稀土镍基氧化物电子相变材料的放量制备法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119038995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411058654.X，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权一种亚稳相稀土镍基氧化物电子相变材料的放量制备法是由陈吉堃;雷玮;边驿设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种亚稳相稀土镍基氧化物电子相变材料的放量制备法在说明书摘要公布了：一种亚稳相稀土镍基强关联氧化物材料的制备方法，属于相变材料与功能材料领域。本发明利用目标稀土镍基氧化物作为同质籽晶，促进非均匀形核过程，降低合成反应正向吉布斯自由能，从而在高氧压条件下制备热力学亚稳相稀土镍基氧化物陶瓷。本发明通过调控Re位、B位元素种类及比例，影响NiO6、BO6八面体的扭曲程度从而实现对亚稳相稀土镍基氧化物相变温度和电输运特性的调控；能显著降低材料的合成压力，简化制备材料的工艺流程，并实现亚稳相稀土镍基氧化物的放量制备，以满足强关联逻辑器件、突变式敏感电阻器件和红外伪装器件的制备需求。

本发明授权一种亚稳相稀土镍基氧化物电子相变材料的放量制备法在权利要求书中公布了：1.一种亚稳相稀土镍基氧化物材料的制备方法，其特征在于： 1根据目标电输运及相变特性设计亚稳相稀土镍基氧化物材料组分，根据所选材料组分，选择Re、Ni、过渡族元素的前驱体按目标亚稳相稀土镍基氧化物化学计量比称量； 2根据前驱体使用量称取Ni元素前驱体0.1-50%摩尔比的目标亚稳相稀土镍基氧化物作为形核籽晶，将籽晶与前驱体充分混合并冷压成片； 3根据目标亚稳相稀土镍基氧化物选择热处理温度及氧气压力：将冷压成片的反应物在高氧压气氛中加热至800-1100℃高温后保温24-48h，保温结束后缓慢冷却至室温，取出样品，研磨成粉体后再次冷压成片，在高氧压气氛中加热至800-1100℃高温后保温24-48h，重复上述操作1-5次，直至得到纯净的亚稳相稀土镍基氧化物陶瓷； 4基于亚稳相稀土镍基氧化物陶瓷进一步引入电极及其它功能层材料，制备成突变式热敏电阻器件、强关联逻辑器件；或是研磨成粉体制备红外伪装涂层、激光防护涂层； 通过上述步骤实现具有金属绝缘体相变以及氢致电子相变且处于热力学亚稳相状态的稀土镍基氧化物的有效合成，所使用方法中不含有任何液相物质，操作简便且实现放量制备；通过调控前驱体与籽晶比例、氧气分压及热处理工艺实现对亚稳相稀土镍基氧化物陶瓷硬度、形貌及电输运特性的调控； 步骤1所述亚稳相稀土镍基氧化物的化学组分为NdNiO3、PrNiO3、SmNiO3、Nd0.5Sm0.5NiO3、NdNi0.9Mn0.1O3、EuNiO3、GdNiO3、NdNi0.9Fe0.1O3、Ho0.8Y0.2NiO3、DyNi0.8Co0.2O3、HoNi0.9Cr0.1O3、ErNiO3、Tm0.5Yb0.5NiO3、LuNiO3、YNiO3、La0.8Sm0.2NiO3或Nd0.2Sm0.8Ni0.8Mn0.2O3。

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