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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211676722.X，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质是由蓝玉国;李梅霞;祁正荣;陈展奋设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体技术领域。方法主要包括：确定预设注入条件；在预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台；对修正新装机台与基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果；根据SIMS结果确定修正新装机台与基准机台的匹配结果。本公开提供的一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，可以降低新装机台与基准机台的RS匹配，但是SIMS结果不匹配的概率，从而进一步提升新装机台与基准机台的匹配效率，并降低新装机台与基准机台的匹配成本。

本发明授权一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种离子注入机台匹配方法，其特征在于，所述方法包括： 确定预设注入条件； 在所述预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台； 对所述修正新装机台与所述基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果； 根据所述SIMS结果确定所述修正新装机台与所述基准机台的匹配结果； 根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台，包括： 对所述初始新装机台和所述基准机台进行热波测试，得到所述初始新装机台对应的第三热波图和所述基准机台对应的第四热波图； 判断所述第三热波图和所述第四热波图的差异值是否满足第三预设阈值，得到第三判断结果； 所述第三判断结果为否，则根据所述第三热波图和所述第四热波图，对所述初始新装机台进行热波匹配； 根据所述初始新装机台和所述基准机台的方块电阻值，对热波匹配后的初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台，所述第一新装机台与所述基准机台的方块电阻值匹配； 对所述第一新装机台和所述基准机台进行热波测试，得到所述第一新装机台对应的第一热波图和所述基准机台对应的第二热波图； 计算所述第一热波图和所述第二热波图的差异值； 判断所述差异值是否满足第二预设阈值，得到第二判断结果； 所述第二判断结果为是，则将所述第一新装机台确定为所述修正新装机台； 所述第二判断结果为否，则对所述第一新装机台进行热波匹配，并根据热波匹配后的第一新装机台和所述基准机台的方块电阻值，重新对热波匹配后的第一新装机台进行剂量修正，直到所述第二判断结果为是。

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