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龙图腾网获悉北京空间飞行器总体设计部申请的专利一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115391713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210838677.7，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法是由李衍存;汪路元;蔡震波;王晶燕;曲少杰;向宏文;秦珊珊;张志平;郑玉展;呼延奇;姚帅设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法，考虑了斜入射带来的屏蔽厚度增厚、总剂量变低效应，显著降低电离总剂量数据。具体包括以下步骤：步骤一、根据卫星运行轨道参数分析卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽厚度的关系；步骤二、根据所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系获取所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽铝厚度关系的拟合公式及拟合系数；步骤三、利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式；步骤四、根据所述计算公式分析卫星内部单机中器件的电离总剂量。

本发明授权一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、根据卫星运行轨道参数分析卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系； 步骤二、根据所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系获取所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度关系的拟合公式及拟合系数； 步骤三、利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式； 步骤四、根据所述计算公式分析卫星内部单机中器件的电离总剂量； 所述卫星运行轨道包括地球静止轨道即轨道高度35786km、中地球轨道即轨道高度20000km~25000km、低地球轨道即轨道高度低于1500km； 针对不同轨道提出不同的拟合公式，具体为： 对于地球静止轨道和低地球轨道，按照公式1进行拟合： 1 其中f为总剂量，单位为radSi；t为等效铝屏蔽厚度，单位为mm；A1、B1、A2、B2、A3、B3为拟合系数； 对于中地球静止轨道，按照公式2进行拟合： 2 其中f为总剂量，单位为radSi；t为等效铝屏蔽厚度，单位为mm；A4、B4、A5、B5、A6、B6为拟合系数； 利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式，具体为： 首先将不同入射角度对应的总剂量进行积分，得到考虑斜入射的剂量，所述积分采用下述公式6： 6 然后将不同轨道的拟合函数分别代入公式6中，得到地球静止轨道和低地球轨道、中地球轨道总剂量积分结果； 地球静止轨道、低地球轨道、中地球轨道的总剂量与屏蔽厚度的关系的计算公式具体为： 地球静止轨道和低地球轨道的总剂量与屏蔽厚度关系的公式为： 7 中地球轨道的总剂量与屏蔽厚度关系的公式为： 8 其中，为指数积分函数，表达式为 9。

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