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龙图腾网获悉合肥晶威特电子有限责任公司申请的专利一种音叉谐振器生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115085683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210474751.1，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种音叉谐振器生产方法是由汪鑫;侯诗益;董书霞;袁亮;王杰;丁一奇;王磊;吕成;陈维彦;徐茂东;汪洋;葛军;马文勇设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种音叉谐振器生产方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种音叉谐振器生产方法，音叉谐振器的生产线包括沿生产方向依序布置的如下工位：生产工位，将晶片原料加工形成wafer片；第一测量工位；折取工位，折取wafer片上的音叉晶片；装配工位，将音叉晶片固化至产品基座上；第二测量工位；封装工位，将产品真空封装；本发明在第一测量工位可快速消耗音叉晶片的振动能量，从而结束该区域音叉晶片的起振，使得探针到达下一测量的音叉晶片时可直接进行测量，大幅提高了测量效率；本发明在第二测量工位可模拟封装后真空环境对产品频率和电阻进行测量，从而选出次品，降低次品率。

本发明授权一种音叉谐振器生产方法在权利要求书中公布了：1.一种音叉谐振器生产方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、完成生产线的布置，该生产线包括沿生产方向依序布置的如下工位： 生产工位A1，将晶片原料加工形成wafer片2； 第一测量工位A2，包括定位平台1，其内部开设有与负压源连通的负压管路15；wafer片2，固定在定位平台1上；测量系统3，设置在wafer片2上方，测量系统3的探针31与频率计连接，探针31依序对wafer片2上的各音叉晶片21的根部施加振动；负压孔14，开设在定位平台1上并与负压管路15连通，负压孔14与音叉晶片21位置对应；所述探针31施加振动时负压孔14关闭，所述探针31离开音叉晶片21后负压孔14开启； 折取工位A3，折取wafer片2上的音叉晶片21； 装配工位A4，将音叉晶片21固化至产品基座上； 第二测量工位A5，包括测试台6以及固定在测试台6上的真空罩体61，所述真空罩体61与测试台6围合形成测试腔，待测试的未封装产品与位于测试腔内的分析仪62连接；真空泵通过开设在测试台6上的真空口63与测试腔连通；所述测试台6上还开设有与测试腔连通的置换口64，置换口64与非活性气源连通； 封装工位A6，将产品真空封装； 生产线布设完成后并先将光刻晶片原料置于生产工位A1的黄光车间内，对晶片依次进行曝光、显影、湿法刻蚀、溅射镀膜工序，得到wafer片2； S2、将wafer片2送往第一测量工位A2的定位平台1上； S21、使wafer片2与各定位凸起12抵接，启动负压源确保wafer片2通过吸附孔13被负压吸附固定，此时电磁阀153关闭； S22、调整X向滑台51、Y向滑台53、Z向滑台52的位置，使探针31与第一组音叉晶片21根部抵接，CCD识别系统4该音叉晶片21进行识别观测； S23、探针31对音叉晶片21根部施加振动，频率计测量该音叉晶片21的振动频率，测量完成后通过X向滑台51、Y向滑台53、Z向滑台52的相对移动带动探针31移动至下一音叉晶片21根部； S24、步骤S23中，探针31移动时电磁阀153开启，通过负压孔14对测量完的音叉晶片21所在区域施加瞬时负压，并在探针31到达下一音叉晶片21根部前关闭电磁阀153； S25、探针31到达下一音叉晶片21根部后，重复步骤S23、S24，直至完成全部音叉晶片21的测量，关闭负压源并取出wafer片2送至折取工位A3； S3、折取wafer片2上的音叉晶片21，并送往装配工位A4； S4、将音叉晶片21装配至产品基座上，并对装配点位高温固化，通过离子束刻蚀微调音叉晶片21厚度； S5、将未封装的音叉谐振器产品送至测试台6； S51、升起真空罩体61，将音叉谐振器产品与分析仪62连接后降下真空罩体61； S52、打开置换口64置换真空罩体61内的空气后关闭置换口64，真空泵将真空罩体61内抽至指定真空度， S53、达到指定真空度后启动分析仪62对产品进行分析； S54、分析完成后打开置换口64向真空罩体61内充入非活性气体，破除真空环境，升起真空罩体61并取出产品； S6、对音叉谐振器产品真空封装，完成全部生产流程； 所述定位平台1上开设有与wafer片2表面贴合的吸附孔13，所述负压管路15分流形成与吸附孔13连通的第一负压通道151以及与负压孔14连通的第二负压通道152，所述第二负压通道152上设置有电磁阀153以控制负压孔14的启闭。

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