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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种新型三级运放间接频率补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115001408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210675594.0，技术领域涉及：H03F1/14；该发明授权一种新型三级运放间接频率补偿电路是由奚冬杰;徐晴昊;李现坤设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型三级运放间接频率补偿电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种新型三级运放间接频率补偿电路，属于电子电路领域，包括第一电阻RA、第二电阻RB、第一电容CC1、第二电容CC2、NMOS管MN1～NMOS管MN8以及PMOS管MP1～PMOS管MP6；NMOS管MN1～MN5、PMOS管MP1～MP2为运放第一增益级；NMOS管MN6～MN7、PMOS管MP3～MP5为运放第二增益级；NMOS管MN8和PMOS管MP6为第三增益级，第二电阻RB和第一电容CC1、第一电阻RA和第二电容CC2为间接频率补偿网络。本发明通过产生位于左半平面的零点来抵消运放环路中的次极点，可在采用较小补偿电容情况下大幅提升环路相位裕度和电路瞬态稳定性。

本发明授权一种新型三级运放间接频率补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种新型三级运放间接频率补偿电路，其特征在于，包括第一电阻RA、第二电阻RB、第一电容CC1、第二电容CC2、NMOS管MN1~NMOS管MN8以及PMOS管MP1~PMOS管MP6； NMOS管MN1~MN5、PMOS管MP1~MP2为运放第一增益级；NMOS管MN6~MN7、PMOS管MP3~MP5为运放第二增益级；NMOS管MN8和PMOS管MP6为第三增益级，第二电阻RB和第一电容CC1、第一电阻RA和第二电容CC2为间接频率补偿网络； 所述第一电阻RA的上端接节点A，下端接所述第二电容CC2的上端；所述第二电阻RB的上端接节点B，下端接所述第一电容CC1的上端；所述第一电容CC1的上端接第二电阻RB的下端，下端同时接PMOS管MP5的漏端和NMOS管MN7的漏端；所述第二电容CC2的上端接第一电阻RA的下端，下端同时接PMOS管MP6的漏端和NMOS管MN8的漏端； 所述NMOS管MN1的漏端接节点B，栅端接运放负输入端信号VIN_N，源端接NMOS管MN5的漏端；NMOS管MN2的漏端接节点A，栅端接运放正输入端信号VIN_P，源端接NMOS管MN5的漏端；NMOS管MN3的漏端接PMOS管MP5的栅端，栅端接运放负输入端信号VIN_N，源端接节点B；NMOS管MN4的漏端接PMOS管MP4的栅端，栅端接运放正输入端信号VIN_P，源端接节点A；NMOS管MN5的漏端同时接NMOS管MN1的源端和NMOS管MN2的源端，NMOS管MN5的栅端接NMOS管偏置电压信号Vbias_N，源端接GND；NMOS管MN6的漏端接PMOS管MP4的漏端，栅端接NMOS管MN7的栅端，源端接GND；NMOS管MN7的漏端接PMOS管MP5的漏端，栅端接NMOS管MN6的漏端，源端接GND；NMOS管MN8的漏端接运放输出VOUT，栅端接NMOS管MN7的漏端，源端接GND； 所述PMOS管MP1的漏端接NMOS管MN3的漏端，栅端接自身的漏端，源端接电源VDD；PMOS管MP2的漏端接NMOS管MN4的漏端，栅端接PMOS管MP1的栅端，源端接VDD；PMOS管MP3的漏端同时接PMOS管MP4的源端和PMOS管MP5的源端，栅端接PMOS管偏置电压信号Vbias_P，源端接VDD；PMOS管MP4的漏端接NMOS管MN6的漏端，栅端接PMOS管MP2的漏端，源端接PMOS管MP3的漏端；PMOS管MP5的漏端接NMOS管MN7的漏端，栅端接PMOS管MP1的漏端，源端接PMOS管MP3的漏端；PMOS管MP6的漏端接VOUT，栅端接PMOS管MP2的漏端，源端接VDD。

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