微芯片技术股份有限公司冷耀俭获国家专利权
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龙图腾网获悉微芯片技术股份有限公司申请的专利用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器件、片上系统和其他系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080093888.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器件、片上系统和其他系统是由冷耀俭设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器件、片上系统和其他系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种片上系统，该片上系统可以包括电感电容振荡器，该电感电容振荡器单片集成到该片上系统中。与电阻电容振荡器相比，该电感电容振荡器可以被配置为提高频率稳定性并降低噪声。制造集成振荡器的方法可以涉及在衬底上形成BEOL结构的同时，至少部分地形成电感器。在形成该BEOL结构之前或同时，可以形成电容器，该电容器支撑在该衬底的该半导体材料上和或嵌入该衬底的该半导体材料内。可以至少部分地利用该BEOL结构将该电感器并联连接到该电容器，以形成集成电感电容振荡器。
本发明授权用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器件、片上系统和其他系统在权利要求书中公布了：1.一种片上系统，包括： 电感电容振荡器，所述电感电容振荡器单片集成到所述片上系统中， 其中电感器包括线圈的各部分以及上层区域和下层区域，所述线圈的各部分在两个相邻层内，所述两个相邻层支撑在所述片上系统的半导体衬底上，所述上层区域和所述下层区域互连所述线圈的各部分，所述上层区域位于所述两个相邻层中的一个内，所述下层区域位于所述两个相邻层中的另一个内； 其中位于所述上层区域和所述下层区域外部的所述电感器的所述线圈的至少基本全部包括所述两个相邻层中的第一层中的第一数量的导电材料以及所述两个相邻层中的第二层中的第二数量的导电材料，所述第二数量的导电材料与所述第一数量的导电材料直接接触，位于所述上层区域和所述下层区域外部的所述第二数量的导电材料包括部分嵌入所述两个相邻层中的第二层中的钝化材料内的导电材料的单片连续块；以及 其中互连所述线圈的各部分的所述上层区域和所述下层区域包括所述第一数量的导电材料和所述第二数量的导电材料之间的所述钝化材料，所述第二数量的导电材料没有嵌入所述上层区域和所述下层区域内的所述钝化材料中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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