绍兴中芯集成电路制造股份有限公司黄春梅获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434511.9，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法是由黄春梅;魏琪;王鑫垚设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法，包括：使用第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，以使上述基底的背面呈现为磨砂面，上述磨砂面的表面具有麻点；使用第二酸洗溶液对上述基底的背面进行第二次酸洗，以去除上述麻点。上述半导体器件结构的制备方法中，在对基底进行处理时，先通过第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，使得基底的背面呈现具有麻点的磨砂面，再使用第二酸洗溶液对基底的背面进行第二次酸洗，去除基底背面的麻点，从而可以使得基底的背面呈现磨砂面；由于基底背面呈现磨砂面，因此基底背面微小的缺陷不明显，从而在基底背面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。
本发明授权基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基底的处理方法，其特征在于，所述的处理方法包括： 使用第一酸洗溶液对所述基底的背面进行第一次酸洗，以使所述基底的背面呈现为磨砂面，所述磨砂面的表面具有麻点；所述第一酸洗溶液包括HNO3、H2SO4及HF；所述基底包括硅晶圆，所述基底内形成有P型晶体管；所述第一次酸洗的时间包括100s~300s；所述第一次酸洗的温度包括10℃~50℃；其中，在基底为硅基底时，由于P型晶体管中B原子掺杂浓度高，容易吸附F-，形成F-Si，导致腐蚀异常，形成多孔硅，使基底背面呈现麻点； 使用第二酸洗溶液对所述基底的背面进行第二次酸洗，以去除所述麻点；所述第二酸洗溶液包括HNO3、H2SO4、HF及H3PO4，或所述第二酸洗溶液包括CH3COOH、HNO3及HF；所述第二次酸洗的时间包括1s~10s；所述第二次酸洗的温度包括10℃~50℃。
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