上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种薄膜衬底结构和声学滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210105216.9，技术领域涉及：H03H9/05；该发明授权一种薄膜衬底结构和声学滤波器是由欧欣;李忠旭;黄凯设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜衬底结构和声学滤波器在说明书摘要公布了：本申请涉及材料制备技术及射频器件领域，特别涉及一种薄膜衬底结构和声学滤波器。薄膜衬底结构包括：支撑衬底、界面层、绝缘层和功能层；所述支撑衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述界面层位于所述第二表面上；所述绝缘层位于所述界面层远离所述支撑衬底的一侧表面上；所述功能层位于所述绝缘层远离所述支撑衬底的一侧表面上；所述界面层具有深能级缺陷和预设禁带宽度中的至少其一。本申请通过界面层具有深能级缺陷和预设禁带宽度中的至少其一对器件的费米能级起到钉扎作用。有效抑制了工作于高频时支撑衬底的表面局部电导效应，并且抑制了高次谐波产生，优化了器件的线性度。
本发明授权一种薄膜衬底结构和声学滤波器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜衬底结构，其特征在于，包括:支撑衬底100、界面层200、绝缘层300和功能层400； 所述支撑衬底100具有相对的第一表面和第二表面，所述界面层200位于所述第二表面上，在所述第二表面为粗糙的情况下，所述第二表面的粗糙度为100-1000nm； 所述绝缘层300位于所述界面层200远离所述支撑衬底100的一侧表面上； 所述功能层400位于所述绝缘层300远离所述支撑衬底100的一侧表面上，所述功能层400与所述绝缘层300键合； 所述界面层200具有深能级缺陷和预设禁带宽度，所述界面层200的材料包括单晶材料，所述界面层200的厚度为0.1-10um，形成所述界面层200的方式包括离子注入、杂质掺杂和晶粒细化中的至少一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海新硅聚合半导体有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励