苏州远创达科技有限公司马强获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州远创达科技有限公司申请的专利一种片上集成RC电路的射频芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011189666.8，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种片上集成RC电路的射频芯片是由马强;肖智敏设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种片上集成RC电路的射频芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种片上集成RC电路的射频芯片，包括衬底和外延层，设置于外延层上的有源区，所述外延层上在有源区的栅极与输入金属焊盘之间设置有多组电阻电容组合结构，所述电阻电容组合结构的电阻和电容并联，所述有源区的栅极通过电阻电容组合结构后连接输入金属焊盘。片上集成RC电路的射频芯片，在芯片内部集成RC电路，提高了射频功率器件在低频和高频的增益及鲁棒性。
本发明授权一种片上集成RC电路的射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种片上集成RC电路的射频芯片，包括衬底和外延层，设置于外延层的有源区，其特征在于，所述外延层上在有源区的栅极与输入金属焊盘之间设置有多组电阻电容组合结构，所述电阻电容组合结构的电阻和电容并联，所述有源区的栅极通过电阻电容组合结构后连接输入金属焊盘； 所述电阻电容组合结构的电阻包括至少一个双场板结构，所述双场板结构包括设置在外延层上的第一金属场板和第二金属场板，所述第二金属场板设置于第一金属场板的上方，所述第一金属场板与第二金属场板间设置有介质层，所述第一金属场板和第二金属场板的两端分别通过通孔连接设置在上方的上层金属层，所述上层金属层的一端连接栅极，另一端连接输入金属焊盘，所述金属层的厚度大于金属场板的厚度； 所述电阻电容组合结构的电容包括设置在外延层上的下金属层和上金属层，所述上金属层设置于下金属层的上方，所述下金属层与上金属层间设置有介质层，所述下金属层连接栅极，上金属层连接输入金属焊盘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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