北京理工大学翟丽获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种高压直流电源滤波器优化设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114421746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111510399.4,技术领域涉及:H02M1/14;该发明授权一种高压直流电源滤波器优化设计方法是由翟丽;杨霜洁;王淑靓;张硕;王志福;高洪民设计研发完成,并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压直流电源滤波器优化设计方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种高压直流电源滤波器优化设计方法,其针对包括滤波器产品体积、质量、成本的多方面综合优化目标,设定了关于插损、温升、磁通密度的多项设计约束条件,同时在设计中既考虑了源阻抗又通过遗传算法实现了滤波器各级拓扑结构的自动选择,从而克服了现有滤波器设计方法存在的诸多缺陷,具有在提高滤波器设计性能的基础上充分降低成本以及缩小体积的有益效果。
本发明授权一种高压直流电源滤波器优化设计方法在权利要求书中公布了:1.一种高压直流电源滤波器优化设计方法,其特征在于:具体包括以下步骤: 步骤1、初步确定待设计滤波器各级由电路元件构成的基本拓扑单元,以及待设计滤波器的总级数; 步骤2、计算并确定待设计滤波器的最低插损、最大温升、最大磁通密度限制作为设计约束; 步骤3、设定滤波器设计的优化目标,即达到待设计滤波器的体积、质量与成本这三个指标加权和为最优,具体为求解以下minJ的问题: J=q1Vfilter+q2Mfilter+q3Pfilter 式中,q1,q2,q3为体积、质量和成本的权重因子,取值范围为0,1,根据实际需求选择; 定义Vfilter,Mfilter,Pfilter分别为待设计滤波器的体积、质量和成本,用以下公式表示: 式中,i、j、k分别为磁环、X电容和Y电容的数量,MCX-n和MCY-n分别为X电容和Y电容的质量,Vring-n为磁环体积,VCX-n和VCY-n分别为X电容和Y电容的体积,PCX-n和PCY-n分别为X电容和Y电容的成本,ρring-n、pring-n分别为磁环的密度和单位体积成本; 步骤4、以电压、电流、环境温度、源阻抗和磁环电容阻抗参数作为遗传算法的输入参数,基于由步骤2所确定的各项设计约束,利用遗传算法求解步骤3所确定的优化目标最优问题,包括将各设计约束组合成以下非线性约束Φ: Φ=max0,b1,b2,b3,b4 式中,b1和b2为共模插损和差模插损是否满足约束条件的判据,ILCM和ILDM分别为共模插损和差模插损,ILCMX和ILDMX分别为共模目标插损和差模目标插损,fk为第k个频点,由于插损是频率的函数,在进行比较时,根据需要在频率范围内选取m个频点,并对这些频点下的插损进行比较计算;trise为最大温升约束,△T为最大温升,Btotal为磁芯的总磁通密度,BS为磁材的饱和磁通密度;最终计算得到各级最优的拓扑单元结构以及对应的电路元件具体指标。
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