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龙图腾网获悉美新半导体(天津)有限公司申请的专利一种MEMS-CMOS集成结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114394572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111654762.X，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种MEMS-CMOS集成结构及其制造方法是由苏云鹏;丁希聪;凌方舟;刘尧设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS-CMOS集成结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS‑CMOS集成结构及其制造方法，MEMS‑CMOS集成结构包括：CMOS集成电路层；顶部电导层，其位于所述CMOS集成电路层的上方，所述顶部电导层包括相互间隔排布的电极区、接地金属区和电连接金属区；隔离结构，其与所述顶部电导层同层，其为绝缘材料用以隔离所述电极区和所述接地金属区；MEMS机械层，其位于所述顶部电导层的上方，所述MEMS机械层被完全刻蚀释放后形成MEMS图案，所述MEMS图案包括相互间隔的MEMS可动结构、虚设层和接地层。其中，电极区与CMOS集成电路层电连接；接地金属区用于在MEMS机械层被刻蚀期间将电极区接地；接地层用于在MEMS机械层被刻蚀期间将MEMS机械层接地；MEMS可动结构经对应的电连接金属区与CMOS集成电路层电连接。与现有技术相比，本发明可以在工艺加工过程中防止工艺损伤。

本发明授权一种MEMS-CMOS集成结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS-CMOS集成结构，其特征在于，其包括： CMOS集成电路层； 顶部电导层，其位于所述CMOS集成电路层的上方，所述顶部电导层包括相互间隔排布的电极区、接地金属区和电连接金属区； 隔离结构，其与所述顶部电导层同层，其为绝缘材料用以隔离所述电极区和所述接地金属区； MEMS机械层，其位于所述顶部电导层的上方，所述MEMS机械层被完全刻蚀释放后形成MEMS图案，所述MEMS图案包括相互间隔的MEMS可动结构、虚设层和接地层； 其中，所述电极区位于所述MEMS可动结构的下方，其用于感应所述MEMS可动结构形变或位移产生的电学信号，且所述电极区与所述CMOS集成电路层电连接；所述接地金属区用于在所述MEMS机械层被刻蚀期间将所述电极区接地，且所述接地金属区在所述MEMS机械层被完全刻蚀释放形成MEMS图案后与所述电极区无电连接；所述接地层用于在所述MEMS机械层被刻蚀期间将所述MEMS机械层接地，且所述接地层在所述MEMS机械层被完全刻蚀释放形成MEMS图案后与所述MEMS机械层中的其他部分完全分离；MEMS可动结构经对应的所述电连接金属区与所述CMOS集成电路层电连接， 在所述MEMS机械层被刻蚀前，所述MEMS-CMOS集成结构还包括电极连通层，所述电极连通层位于所述顶部电导层上方，以电连接所述接地金属区与电极区； 在所述MEMS机械层被完全刻蚀释放形成MEMS图案后，所述电极连通层被去除， 所述虚设层位于所述MEMS可动结构和接地层之间； 所述虚设层与所述MEMS可动结构和接地层均相互间隔； 所述虚设层经对应的所述电连接金属区与所述CMOS集成电路层电连接， 在所述MEMS机械层被完全刻蚀释放形成MEMS图案后， 当所述虚设层接低电平时，所述虚设层将与接高电平的所述MEMS可动结构产生静电力，通过静电力的推动可判断所述MEMS可动结构是否存在异常状态； 当所述虚设层接与所述MEMS可动结构相同的高电平时，将屏蔽所述MEMS机械层的其他机械结构产生的静电力，避免对所述MEMS可动结构的影响，同时在所述MEMS可动结构运动过程中对于所述MEMS可动结构进行位移限制，防止所述MEMS可动结构发生面内大幅旋转或与侧壁剧烈碰撞。

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