美光科技公司A·里加诺获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管，及形成集成晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114245938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080058087.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管，及形成集成晶体管的方法是由A·里加诺;M·马里亚尼设计研发完成，并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管，及形成集成晶体管的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件具有半导体材料立柱。所述立柱具有基座区域，且分叉成两个区段，所述两个区段从所述基座区域向上延伸。所述两个区段通过中间区域彼此水平间隔开。导电栅极位于所述中间区域内。第一源极漏极区域位于所述基座区域内，第二源极漏极区域位于所述区段内，且沟道区域位于所述区段内。所述沟道区域邻近于所述导电栅极且垂直安置在所述第一源极漏极区域与所述第二源极漏极区域之间。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
本发明授权具有穿过半导体材料立柱的栅极材料的集成晶体管，及形成集成晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包括： 半导体材料立柱；所述立柱具有延伸穿过绝缘材料的基座区域，且分叉成两个区段，所述两个区段从所述基座区域向上延伸；所述两个区段是第一区段及第二区段，且通过中间区域彼此水平间隔开，所述第一区段及所述第二区段各自包括沿着所述中间区域的内侧壁和相对的外侧壁，所述绝缘材料沿着所述基座区域和所述第一区段及所述第二区段各自的所述外侧壁连续延伸； 导电栅极，其位于所述中间区域内；及 第一源极漏极区域，其位于所述基座区域内；第二源极漏极区域，其位于所述第一区段及所述第二区段内；及沟道区域，其位于所述第一区段及所述第二区段内；所述沟道区域邻近所述导电栅极且垂直安置在所述第一源极漏极区域与所述第二源极漏极区域之间。
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