美光科技公司刘鸿威获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利晶体管及形成集成电路系统的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056191.7，技术领域涉及：H10D30/69；该发明授权晶体管及形成集成电路系统的方法是由刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及形成集成电路系统的方法在说明书摘要公布了：晶体管包括顶部源极漏极区、底部源极漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
本发明授权晶体管及形成集成电路系统的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其包括： 顶部源极漏极区、底部源极漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极； 所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的，所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064µm3内的平均晶体尺寸； 所述顶部源极漏极区在其中具有第一导电率增加的掺杂剂； 所述底部源极漏极区在其中具有第二导电率增加的掺杂剂； 与所述顶部源极漏极区相邻的所述沟道区的上部部分在其中具有非导电浓度的所述第一导电率增加的掺杂剂；及 与所述底部源极漏极区相邻的所述沟道区的下部部分在其中具有非导电浓度的所述第二导电率增加的掺杂剂，所述上部部分竖直地比所述下部部分厚。
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