美光科技公司陈卓获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组合件和形成集成组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111073577.1，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权集成组合件和形成集成组合件的方法是由陈卓;I·V·瓦西里耶沃;D·F·范;K·K·穆图克里希南设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组合件和形成集成组合件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将半导体材料图案化为一种配置，所述配置包含通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合和通过第二间隙与所述集合间隔开的第二向上突出结构。所述第二间隙大于所述第一间隙。沿着所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构且在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电材料。在所述第二间隙内的所述导电材料的区域上方形成保护材料的第一片段和第二片段，且接着利用蚀刻将所述导电材料图案化为所述第一间隙内的第一导电结构且图案化为所述第二间隙内的第二导电结构。一些实施例包含集成组合件。
本发明授权集成组合件和形成集成组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其沿着横截面包括： 通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合；所述第一向上突出结构中的一者为所述集合中的边缘向上突出结构； 第二向上突出结构，其通过大于所述第一间隙的第二间隙与所述第一向上突出结构的所述集合间隔开； 介电材料，其位于所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构的侧壁上； 第一导电结构，其在所述第一间隙内、位于所述介电材料上且邻近所述第一向上突出结构的侧壁； 第二导电结构，其在所述第二间隙内且位于所述介电材料上；所述第二导电结构中的一者邻近所述边缘向上突出结构的侧壁，且所述第二导电结构中的另一者邻近所述第二向上突出结构的侧壁；和 沿着所述横截面，所述第二导电结构的形状与所述第一导电结构不同， 其中所述第二导电结构沿着所述横截面为角度板，且 其中所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构由半导体材料形成。
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