三星电子株式会社朴相奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010320589.9，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁存储器件是由朴相奂;金哉勋;金英铉设计研发完成，并于2020-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件在说明书摘要公布了：一种磁存储器件包括参考磁性结构、自由磁性结构以及在它们之间的隧道势垒图案。参考磁性结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括交替堆叠的磁性图案和非磁性图案。第一被钉扎图案是由铁磁元素组成的铁磁图案。
本发明授权磁存储器件在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器件，包括： 参考磁性结构，包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在所述第一被钉扎图案和所述第二被钉扎图案之间的交换耦合图案； 自由磁性结构；以及 在所述参考磁性结构和所述自由磁性结构之间的隧道势垒图案， 其中，所述第二被钉扎图案在所述第一被钉扎图案和所述隧道势垒图案之间， 所述第二被钉扎图案包括： 在所述交换耦合图案和所述隧道势垒图案之间的第一铁磁图案； 在所述第一铁磁图案和所述隧道势垒图案之间的第二铁磁图案； 在所述第一铁磁图案和所述第二铁磁图案之间的第一非磁性图案；以及 在所述第二铁磁图案和所述隧道势垒图案之间的第二非磁性图案， 其中所述交换耦合图案将所述第一铁磁图案反铁磁耦合到所述第一被钉扎图案，所述第一非磁性图案将所述第二铁磁图案反铁磁耦合到所述第一铁磁图案， 所述第一被钉扎图案、所述第一铁磁图案和所述第二铁磁图案各自是钴的单层， 其中所述第一被钉扎图案具有垂直磁化性能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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