迈来芯电子科技有限公司A·J·范德维尔获国家专利权
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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利具有嵌入式磁通量聚集器的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010440102.0，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权具有嵌入式磁通量聚集器的半导体器件是由A·J·范德维尔设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有嵌入式磁通量聚集器的半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了具有嵌入式磁通量聚集器的半导体器件。本发明涉及一种磁通量聚集器MFC结构，该MFC结构包括衬底、设置在衬底上或衬底上方的第一金属层以及设置在第一金属层上或第一金属层上方的第二金属层。每个金属层包括i第一导线层，该第一导线层包括传导电信号的第一导线，以及ii设置在第一导线层上的第一介电层。磁通量聚集器至少部分地被设置在第一金属层中、第二金属层中、或第一金属层和第二金属层两者中。该结构可以包括具有感测板的电子电路或磁传感器。该结构可以包括具有合适控制电路的变压器或电磁体。磁通量聚集器可以包括在第一导线层或第二导线层中的金属应力降低层以及通过对应力降低层进行电镀而形成的芯体。
本发明授权具有嵌入式磁通量聚集器的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种磁通量聚集器MFC结构，包括： 衬底， 第一金属层，所述第一金属层包括：i设置在所述衬底上或设置在所述衬底上方的第一导线层，所述第一导线层包括传导电信号的第一导线，以及ii设置在所述第一导线层上的第一介电层， 第二金属层，所述第二金属层包括：i设置在所述第一金属层上或设置在所述第一金属层上方的第二导线层，所述第二导线层包括传导电信号的第二导线，以及ii设置在所述第二导线层上的第二介电层，以及 磁通量聚集器，所述磁通量聚集器至少部分地设置在所述第二金属层中、或至少部分地设置在所述第一金属层和所述第二金属层两者中， 其中，所述磁通量聚集器包括至少部分地设置在所述第二介电层中的芯体和设置在所述第二导线层中的应力降低层。
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