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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于FeFET的自旋计算单元、可重构伊辛机及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121615586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610129071.4，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权基于FeFET的自旋计算单元、可重构伊辛机及芯片是由胡薇;盛思昊;彭春雨;李志豪;卢文娟;赵强;郝礼才;李鑫;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于FeFET的自旋计算单元、可重构伊辛机及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了基于FeFET的自旋计算单元、可重构伊辛机及芯片。本发明的自旋计算单元采用2个N型FeFET晶体管M1~M2构建出同或单元XNOR，并支持编程为4种状态来适应存储伊辛模型的不同参数，又通过位线输入的方式来输入伊辛模型的自旋自变量，以通过位线充放电以电压共享的方式模拟自旋有效场，从而支持通过映射方法构建出可重构伊辛器。本发明给每个同或单元XNOR配备了电容CAP、并采用传输门Gate与输出总线ScL隔开，从而使每行输出结果通过每个同或单元XNOR单独控制其电容CAP进行电荷保持或释放、并最终进行电荷共享得到，大大提高了线性度和工作稳定性。

本发明授权基于FeFET的自旋计算单元、可重构伊辛机及芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于FeFET的自旋计算单元，其特征在于，其包括：2个N型FeFET晶体管M1~M2、1个电容CAP、1个传输门Gate； M1的栅极连接位线BL；M2的栅极连接位线BLB；M1的漏极与M2的漏极连接在一起，并连接字线WL；M1的源极、M2的源极、CAP的上极板连接在一起；CAP的下极板接地GND；Gate的C控制端连接控制信号SW、C反控制端连接控制信号SWB、输入端连接CAP的上极板、输出端连接输出总线ScL； 其中，BL、BLB用于输入伊辛模型的自旋自变量；自旋自变量为+1时，BL接电源VDD、BLB接GND；自旋自变量为-1时，BL接GND、BLB接VDD；M1、M2组成同或单元XNOR；当存储伊辛模型的耦合系数、且不为纠正行时，XNOR为存1或存0状态；当存储伊辛模型的外磁场强度、且不为纠正行时，XNOR为常1或常0状态；当存储无关态时，XNOR为常0状态；当作为纠正行时，XNOR为存0状态。

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