买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国工程物理研究院电子工程研究所申请的专利一种铌酸锂薄膜MEMS行波马达设计结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121508360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610037944.9，技术领域涉及：H02N2/16；该发明授权一种铌酸锂薄膜MEMS行波马达设计结构及制备方法是由杨天宇;张开盛;李小石;孙翔宇;周泉丰设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂薄膜MEMS行波马达设计结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铌酸锂薄膜MEMS行波马达设计结构及制备方法，涉及行波马达技术领域，包括上电极、下电极、压电驱动层和行波微执行器带位移放大齿结构；上电极设置在压电驱动层的上面，下电极设置在压电驱动层的下面，行波微执行器带位移放大齿结构设置在下电极的下面；压电驱动层的材质为铌酸锂，将压电驱动层划分为多个驱动电极分区，通过向压电驱动层施加多相正弦激励信号实现驱动，且每个驱动电极分区分别被施加一个正弦激励信号；铌酸锂薄膜MEMS行波马达基于LN‑SOI晶圆或基于LN‑SI晶圆制备。本发明具有提升微马达的可靠性与输出性能的优点。

本发明授权一种铌酸锂薄膜MEMS行波马达设计结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂薄膜MEMS行波马达设计结构，其特征在于，包括上电极、下电极、压电驱动层和行波微执行器带位移放大齿结构； 上电极设置在压电驱动层的上面，下电极设置在压电驱动层的下面，行波微执行器带位移放大齿结构设置在下电极的下面； 压电驱动层的材质为铌酸锂，将压电驱动层划分为多个驱动电极分区，通过向压电驱动层施加多相正弦激励信号实现驱动，且每个驱动电极分区分别被施加一个正弦激励信号； 所述铌酸锂薄膜MEMS行波马达基于LN-SOI晶圆或基于LN-SI晶圆制备； 所述铌酸锂薄膜MEMS行波马达基于LN-SOI晶圆制备的时候，制备方法包括以下步骤： 准备LN–SOI晶圆，所述LN–SOI晶圆自上而下分别为第一电极层、铌酸锂层、第二电极层和结构层，结构层包括自上而下分布的顶硅层、氧化硅层和底硅层； 对第一电极层进行图形化光刻后刻蚀，实现上电极图形化； 对底硅层及氧化硅层执行深硅刻蚀工艺，形成沿着顶硅层底部周向分布的齿状结构； 对顶硅层的外圈执行深硅刻蚀工艺，露出第二电极层的外圈部分； 采用激光刻蚀的方法刻蚀铌酸锂层形成裸芯结构释放，顶硅层和底硅层及氧化硅层形成所述行波微执行器带位移放大齿结构，第一电极层和第二电极层分别形成所述上电极和所述下电极，铌酸锂层形成所述压电驱动层； 所述铌酸锂薄膜MEMS行波马达基于LN-SI晶圆制备的时候，制备方法包括以下步骤： 准备LN-SI晶圆，所述LN-SI晶圆自上而下分别为第一电极层、铌酸锂层、第二电极层和结构层，结构层为硅层； 对第一电极层进行图形化光刻后刻蚀，实现上电极图形化； 对硅层执行深硅刻蚀工艺，形成沿着第二电极层底部周向分布的齿状结构，齿状结构以外的部分露出第二电极层； 采用激光刻蚀的方法刻蚀铌酸锂层形成裸芯结构释放，硅层形成所述行波微执行器带位移放大齿结构，第一电极层和第二电极层分别形成所述上电极和所述下电极，铌酸锂层形成所述压电驱动层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国工程物理研究院电子工程研究所，其通讯地址为：621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。