武汉工程大学刘佳鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉工程大学申请的专利一种用于人形机器人电子鼻芯片的高选择性气敏涂层组合物获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121495406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610038054.X,技术领域涉及:C09D127/16;该发明授权一种用于人形机器人电子鼻芯片的高选择性气敏涂层组合物是由刘佳鑫;张凯;史欣以;勾禹淞;王靖涵设计研发完成,并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于人形机器人电子鼻芯片的高选择性气敏涂层组合物在说明书摘要公布了:本发明涉及涂料组合物技术领域,公开了一种用于人形机器人电子鼻芯片的高选择性气敏涂层组合物,包括:40至60份选自聚偏二氟乙烯或氟乙烯‑乙烯基醚交替共聚物的成膜基体;15至25份选自金属有机框架ZIF‑8的气敏填料;2至5份选自未改性多壁碳纳米管的导电剂;1至3份选自全氟辛基三乙氧基硅烷的相容性调节剂;以及由溶解成膜基体的良溶剂和分散气敏填料但不溶解成膜基体的非溶剂组成的二元溶剂体系,本发明利用良溶剂与非溶剂的挥发速率差异及组分间表面能差异诱导相分离,使导电剂定向分布于气敏填料与成膜基体的相界面处,构建疏水基体包覆的非均相导电网络,在保持涂层机械强度的同时,实现对痕量气体的指数级电阻响应并消除高湿环境干扰。
本发明授权一种用于人形机器人电子鼻芯片的高选择性气敏涂层组合物在权利要求书中公布了:1.一种用于人形机器人电子鼻芯片的高选择性气敏涂层组合物,其特征在于,组合物由以下重量份的组分组成: 成膜基体:40至60份,选自聚偏二氟乙烯或氟乙烯-乙烯基醚交替共聚物; 气敏填料:15至25份,选自金属有机框架ZIF-8; 导电剂:2至5份,选自未改性的多壁碳纳米管; 相容性调节剂:1至3份,选自全氟辛基三乙氧基硅烷; 以及二元溶剂体系;其中,二元溶剂体系由第一溶剂和第二溶剂组成,第一溶剂为溶解成膜基体的良溶剂,第二溶剂为能够分散气敏填料但不溶解成膜基体的非溶剂,且第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点;气敏填料与导电剂的质量比为4:1至8:1;组合物在固化成膜过程中,基于第一溶剂与第二溶剂的挥发速率差异及组分间的表面能差异发生相分离,使导电剂分布于气敏填料与成膜基体的相界面处,形成被成膜基体包覆的非均相导电网络; 其中,第一溶剂为N-甲基吡咯烷酮,其沸点为202℃至204℃;第二溶剂为乙酸丁酯,其沸点为125℃至127℃;成膜基体在第二溶剂中的溶解度小于0.1克100克;通过第二溶剂优先于第一溶剂挥发,诱导导电剂在成膜基体固化前向气敏填料表面聚集; 第二溶剂在二元溶剂体系中的质量百分比为25%至35%;该比例用于在制备过程中使导电剂与气敏填料在第二溶剂富集区内预先分散并接触。
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