成都汉芯国科集成技术有限公司刘松林获国家专利权
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龙图腾网获悉成都汉芯国科集成技术有限公司申请的专利一种基于神经网络的TSV三维SiP封装热场分布预测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121480429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018184.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种基于神经网络的TSV三维SiP封装热场分布预测方法及系统是由刘松林;李坤;左小波;蒋本建;赖仕普;刘召满设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于神经网络的TSV三维SiP封装热场分布预测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于神经网络的TSV三维SiP封装热场分布预测方法及系统，属于电子设计自动化领域，所述方法包括：获取待预测TSV三维SiP封装结构的实时功耗分布数据；基于预先构建的降阶模型，计算所述封装结构在当前时刻的全局线性温度场；构建所述封装结构的等效热阻张量；将所述全局线性温度场和所述等效热阻张量输入至预先训练的残差预测神经网络；将全局线性温度场与所述热残差场叠加，得到所述封装结构的最终三维热场分布。本发明有效解决了硅半导体材料在高温下热导率下降导致的非线性预测难题。
本发明授权一种基于神经网络的TSV三维SiP封装热场分布预测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于神经网络的TSV三维SiP封装热场分布预测方法，其特征在于，所述热场分布预测方法包括： 获取待预测TSV三维SiP封装结构的实时功耗分布数据； 基于预先构建的降阶模型，计算所述封装结构在当前时刻的全局线性温度场； 构建所述封装结构的等效热阻张量，所述等效热阻张量基于封装结构体素内不同材料的体积占比及热阻模型计算得到，用于表征热流在不同方向上的传导特性； 将所述全局线性温度场和所述等效热阻张量输入至预先训练的残差预测神经网络，利用所述神经网络中的温度感知门控机制对特征响应进行自适应调整，预测得到由材料非线性和局部微观结构引起的热残差场； 将所述全局线性温度场与所述热残差场叠加，得到所述封装结构的最终三维热场分布。
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