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龙图腾网获悉国网山西省电力有限公司太原供电分公司;华东电力试验研究院有限公司申请的专利一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121472801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018322.1，技术领域涉及：C23C14/54；该发明授权一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法是由司文荣;药炜;赵莹莹;虞益挺;傅晨钊设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及红外滤波芯片制备技术领域，公开了一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法，包括：基于SF6气体的探测波段与参比波段，分别设计对应的膜系理论堆叠序列，并据此模拟生成反映各膜层沉积后预期光谱状态的标准光谱轨迹；以迭代方式依次沉积各膜层，并在每完成一层沉积后，获取当前膜系的实测光谱曲线，提取其特征参数并与标准光谱轨迹中对应位置的理论值进行比对；根据计算得到的偏差值及其变化趋势，动态调整后续待沉积膜层的工艺参数，形成闭环控制。本发明有效克服了传统制备工艺中因误差累积导致的光谱性能偏离问题，能显著提升滤波芯片的光谱精度与产品一致性，进而增强SF6气体检测的准确性和可靠性。

本发明授权一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法，滤波芯片包括沉积在硅基底上的第一膜系结构和第二膜系结构，第一膜系结构对应于SF6气体的探测波段，第二膜系结构对应于参比波段，其特征在于，制备方法包括以下步骤： 基于探测波段与参比波段，分别设计第一膜系结构和第二膜系结构的理论堆叠序列；包括：选取高折射率材料与低折射率材料，并确定高折射率材料与低折射率材料各在探测波段与参比波段内的光学常数；构建一个基础膜系单元，包括一个位于中心的谐振层，其两侧对称地设有多个反射层，反射层由高折射率材料、低折射率材料以四分之一光学厚度交替堆叠形成；以探测波段的目标中心波长为依据，通过将基础膜系单元进行多次级联，进行第一膜系结构的初始堆叠序列设计；以参比波段的目标中心波长为依据，通过将基础膜系单元进行多次级联，进行第二膜系结构的初始堆叠序列设计；将第一膜系结构和第二膜系结构的初始堆叠序列分别设置为优化起点，以通带矩形度和峰值透射率为优化目标，运行优化算法，对两个初始堆叠序列中各膜层的厚度进行迭代调整； 当优化结果同时满足第一膜系结构的通带中心与探测波段匹配、第二膜系结构的通带中心与参比波段匹配，且两个膜系结构的通带矩形度与峰值透射率均达到预设指标时，将此时获得的最终膜层厚度序列分别确定为第一膜系结构和第二膜系结构的理论堆叠序列 基于理论堆叠序列，模拟计算出在镀膜过程中，每完成一个膜层的沉积后滤波芯片的实时理论光谱曲线，并提取每条实时理论光谱曲线的特征参数，所有特征参数按镀膜顺序排列构成一条标准光谱轨迹； 根据理论堆叠序列，在硅基底上沉积第一膜系结构或第二膜系结构的第一个膜层，以迭代方式依次沉积后续每一个膜层，其中在每沉积完成一个膜层后，执行以下操作：利用在线光谱测量系统对当前已沉积的膜系结构进行透射率测量，获得当前实测光谱曲线，并提取与标准光谱轨迹相对应的当前实测特征参数；将当前实测特征参数与所述标准光谱轨迹中对应膜层位置的理论特征参数进行比对，计算其偏差值，并根据该偏差值及其变化趋势，动态调整后续待沉积膜层的沉积控制参数； 重复上述迭代沉积过程，直至第一膜系结构和第二膜系结构全部沉积完成，从而使整个膜系结构在沉积过程中的光谱演变遵循模拟计算生成的标准光谱轨迹。

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