沈阳星膜科技有限公司郝建亮获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳星膜科技有限公司申请的专利一种自洁式复合超滤膜系统及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121466804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610032386.7,技术领域涉及:B01D61/14;该发明授权一种自洁式复合超滤膜系统及其应用是由郝建亮;任霞;刘长春;任云;韩瑞荣;李斌;薛茗泽设计研发完成,并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自洁式复合超滤膜系统及其应用在说明书摘要公布了:本发明提供了一种自洁式复合超滤膜系统及其应用,属于膜分离技术领域。本发明提供的自洁式复合超滤膜系统包括膜组件、控制系统与电源;所述膜组件包括导电陶瓷膜元件与对电极;所述导电陶瓷膜元件包括二硅化钼‑重结晶碳化硅陶瓷复合超滤膜;所述二硅化钼‑重结晶碳化硅陶瓷复合超滤膜包括重结晶碳化硅陶瓷膜以及包覆在所述重结晶碳化硅陶瓷膜表面的二硅化钼基超滤膜层,所述二硅化钼基超滤膜层的孔径为10~20nm。本发明提供的自洁式复合超滤膜系统中二硅化钼‑重结晶碳化硅陶瓷复合超滤膜兼具膜的分离功能与电极功能,不需要再额外同时引入阴极以及阳极,即能够实现高效稳定的电催化自洁效果。
本发明授权一种自洁式复合超滤膜系统及其应用在权利要求书中公布了:1.一种自洁式复合超滤膜系统,其特征在于,包括膜组件、控制系统与电源;所述膜组件包括导电陶瓷膜元件与对电极;所述导电陶瓷膜元件包括二硅化钼-重结晶碳化硅陶瓷复合超滤膜;所述二硅化钼-重结晶碳化硅陶瓷复合超滤膜由重结晶碳化硅陶瓷膜以及包覆在所述重结晶碳化硅陶瓷膜表面的二硅化钼基超滤膜层组成,所述二硅化钼基超滤膜层的孔径为10~20nm;所述二硅化钼基超滤膜层的厚度为2.5~5.0μm; 所述导电陶瓷膜元件与所述电源的阴极连接,所述对电极与所述电源的阳极连接; 或者,所述导电陶瓷膜元件与所述电源的阳极连接,所述对电极与所述电源的阴极连接。
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