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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463734B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018433.2，技术领域涉及：H10P30/22；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由许耀光;王兆祥;彭国发;方文强;朱亚迪;张正毅;裴凯设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底；设于所述衬底表面上的刻蚀停止层；设于所述刻蚀停止层表面上的多个注入掩膜，相邻两个所述注入掩膜之间具有开口；所述刻蚀停止层包括自所述开口的底部上露出的第一部分，和位于所述注入掩膜下方的第二部分，所述第一部分的厚度自中间向两侧逐渐减小。本申请可在通过开口对衬底进行离子注入时，利用第一部分的特殊形貌，对形成的离子注入区的底部轮廓进行提前补偿，可以显著减小在衬底中的注入深度不一致性，使形成的离子注入区的底部轮廓更为平整，从而能避免引发漏电等电性问题，提高了器件的可靠性。

本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面上依次形成刻蚀停止层和掩膜层； 执行刻蚀工艺，对所述掩膜层进行图形化，在所述刻蚀停止层的表面上形成多个注入掩膜，相邻两个所述注入掩膜之间具有开口，所述刻蚀停止层包括自所述开口的底部上露出的第一部分，和位于所述注入掩膜下方的第二部分； 其中，通过对所述刻蚀工艺的工艺菜单进行调整并利用过刻蚀，使所述第一部分的厚度自中间向两侧逐渐减小，以在通过所述开口对所述衬底进行离子注入时，利用所述第一部分的特殊形貌，对形成的离子注入区的底部轮廓进行提前补偿，减小在所述衬底中的注入深度不一致性，使形成的离子注入区的底部轮廓平整； 所述对所述刻蚀工艺的工艺菜单进行调整，包括最迟于刻蚀进行至所述刻蚀停止层的表面时，对减小压力、减小反应气体的流量和增加偏置功率中的至少一种进行调整的方式； 其中，通过在140mTorr～120mTorr的常规压力基础上减小压力，使生成的底部保护副产物被尽可能多地抽走，以刻意造成对底部的保护不足，使得在开口底部两侧上的刻蚀速率大于在开口底部中间上的刻蚀速率； 通过在反应气体的130sccm～110sccm的常规流量基础上减少反应气体的流量，使生成的底部保护副产物变少，以使得底部保护不足，使得在开口底部两侧上的刻蚀速率大于在开口底部中间上的刻蚀速率； 通过在190W～210W的常规偏置功率基础上增加偏置功率，可直接增加物理轰击作用，以进一步促进在开口侧壁上向下反弹的粒子对开口底部两侧上的轰击强度，使得在开口底部两侧上的刻蚀速率大于在开口底部中间上的刻蚀速率。

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