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龙图腾网获悉重庆联晶通半导体科技有限公司申请的专利一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121460030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610007680.2，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统是由蔡明达设计研发完成，并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件测试技术领域，具体是一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统。所述方法包括：获取待测GaN器件的物理结构属性与使用场景信息；基于物理结构属性与使用场景信息确定关键工况参数及对应的目标应力条件；基于目标应力条件对待测GaN器件进行自适应复合加速应力测试获得退化指纹向量；基于使用场景信息构建所述关键工况参数的联合概率分布；构建寿命预测模型，基于退化指纹向量与联合概率分布利用所述寿命预测模型得到待测GaN器件的寿命分布。解决了现有技术中GaN器件的寿命快速预测不够准确的问题。通过结合器件结构与场景信息、自适应加速测试及建模，减少测试时间的同时提高了GaN器件寿命预测的准确性。

本发明授权一种GaN器件的寿命快速预测方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种GaN器件的寿命快速预测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待测GaN器件的物理结构属性与使用场景信息； 基于所述物理结构属性与所述使用场景信息确定关键工况参数及对应的目标应力条件； 基于所述目标应力条件对所述待测GaN器件进行自适应复合加速应力测试获得退化指纹向量，包括： 基于所述目标应力条件对所述待测GaN器件进行自适应复合加速应力测试获得器件退化数据； 在所述器件退化数据中提取退化指纹向量，包括： 从所述器件退化数据中提取开关瞬态的电压动态波形和电流动态波形； 分别从所述电压动态波形和所述电流动态波形中提取时域特征； 分别对所述电压动态波形和所述电流动态波形进行同步压缩小波变换获得时频特征； 基于所述物理结构属性确定物理特征权重； 利用所述物理特征权重对所述时域特征和所述时频特征进行加权融合，得到高维特征向量； 利用预先训练的稀疏自编码器对所述高维特征向量进行降维，得到退化指纹向量； 基于所述使用场景信息构建所述关键工况参数的联合概率分布； 构建寿命预测模型，基于所述退化指纹向量与所述联合概率分布利用所述寿命预测模型得到所述待测GaN器件的寿命分布,包括： 基于蒙特卡洛采样法利用所述联合概率分布生成多组工况参数样本； 以所述退化指纹向量和每一组所述工况参数作为输入利用所述寿命预测模型进行预测，得到多个单点预测寿命值； 基于所述联合概率分布确定所述工况参数样本的概率权重； 基于所述单点预测寿命值和所述概率权重通过拟合生成所述待测GaN器件的可靠性寿命分布函数； 根据所述可靠性寿命分布函数确定所述待测GaN器件的寿命分布。

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