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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121439658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512033493.X，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备是由梁启恒;盛飞龙;孔倩茵;伍三忠;毛朝斌设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及磁场信息分析技术领域，尤其涉及边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备；通过法拉第杯及霍尔探头阵列监测得到束流聚焦度、束流水平偏移量和延伸边缘场磁场分布信息；根据束流聚焦度、预设的聚焦度设定值、束流水平偏移量和预设的偏移量设定值对延伸边缘场磁场分布信息进行轨迹分析，以得到理想离子运动轨迹；根据延伸边缘场磁场分布信息和理想离子运动轨迹对亥姆霍兹线圈组和磁屏蔽盒进行调节，以得到修正延伸边缘场磁场分布信息，经轨迹分析推导理想离子运动轨迹，调节硬件优化磁场，提升束流控制精度，保障离子注入精准性与半导体工艺稳定性。

本发明授权边缘场磁场分布信息的校正方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.边缘场磁场分布信息的校正方法，其特征在于，应用于边缘场磁场分布信息的校正系统，所述边缘场磁场分布信息的校正系统包括法拉第杯、霍尔探头阵列、亥姆霍兹线圈组及磁屏蔽盒，所述边缘场磁场分布信息的校正方法包括： 根据预设的移动距离数据控制法拉第杯及霍尔探头阵列进行移动； 在移动状态下，通过法拉第杯及霍尔探头阵列监测得到束流聚焦度、束流水平偏移量和延伸边缘场磁场分布信息； 根据束流聚焦度、预设的聚焦度设定值、束流水平偏移量和预设的偏移量设定值对延伸边缘场磁场分布信息进行轨迹分析，以得到理想离子运动轨迹； 所述根据束流聚焦度、预设的聚焦度设定值、束流水平偏移量和预设的偏移量设定值对延伸边缘场磁场分布信息进行轨迹分析，以得到理想离子运动轨迹，包括： 判断束流水平偏移量是否大于或等于偏移量设定值或束流聚焦度是否大于或等于聚焦度设定值； 当束流水平偏移量大于或等于偏移量设定值或束流聚焦度大于或等于聚焦度设定值，则根据束流聚焦度和束流水平偏移量对延伸边缘场磁场分布信息进行轨迹分析，以得到理想离子运动轨迹； 根据延伸边缘场磁场分布信息和理想离子运动轨迹对亥姆霍兹线圈组和磁屏蔽盒进行调节，以得到修正延伸边缘场磁场分布信息。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人季华实验室，其通讯地址为：528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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