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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121428668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512034551.0，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅制备技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法。本发明实施例提供一种液相法生长碳化硅单晶的方法，包括：将斜面籽晶托通过与籽晶旋转升降轴连接的支撑架设置在坩埚内部靠近内壁的部位；其中，所述坩埚内装盛有高温熔体；将偏角籽晶按照特定取向关系安装在所述斜面籽晶托上，并使所述偏角籽晶底部表面的台阶流结构的方向与所述坩埚内壁的切线平行；利用所述籽晶旋转升降轴将所述偏角籽晶底面浸入所述高温熔体液面以下；旋转所述籽晶托使所述偏角籽晶沿所述台阶流结构的下游方向，在所述坩埚内以坩埚轴线为转轴做圆周运动。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置，能够生长高质量大尺寸碳化硅单晶。

本发明授权一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，包括： 将偏角籽晶按照特定的晶体学取向关系固定在斜面籽晶托上；其中，特定的晶体学取向关系为：偏角籽晶生长表面台阶流的最下游一侧与所述斜面籽晶托厚度最大的一侧对齐，偏角籽晶生长表面台阶流的最上游一侧与所述斜面籽晶托厚度最小的一侧对齐；所述斜面籽晶托背面一侧厚度大、一侧厚度小，将所述偏角籽晶装配到所述斜面籽晶托上时保证二者之间的取向对应关系：当以偏角籽晶的Si面为生长面时，所述籽晶的副定位边需位于斜面籽晶托厚度小的一侧，当以偏角籽晶的C面为生长面时，所述籽晶的副定位边则需位于斜面籽晶托厚度大的一侧，以保证偏角籽晶生长过程中固液界面的长时间稳定；其中，所述斜面籽晶托的斜面倾斜角度为5~30度； 将固定有偏角籽晶的籽晶托安装在与籽晶旋转升降轴连接的支撑架上，并保证偏角籽晶的台阶流方向与籽晶旋转轴的旋转切向平行；所述支撑架包括行星式旋转支撑架，所述行星式旋转支撑架包括多个径向的子支架，每个所述子支架上均安装有籽晶托； 将按特定取向要求装配好的籽晶套件设置在坩埚内部靠近内壁的部位；其中，所述坩埚内装盛有高温熔体，所述坩埚与所述籽晶旋转升降轴共轴； 利用所述籽晶旋转升降轴将所述偏角籽晶底面浸入所述高温熔体液面以下； 旋转所述籽晶托使所述偏角籽晶沿所述台阶流结构的下游方向，在所述坩埚内以坩埚轴线为转轴做圆周运动； 所述偏角籽晶浸入所述高温熔体液面以下2~8mm； 所述偏角籽晶中心的旋转线速度为0.3~2ms，所述坩埚的角速度为5~30rpm。

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