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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利一种全球电离层模型精度因子生成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121385941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511490304.5，技术领域涉及：G01S19/29；该发明授权一种全球电离层模型精度因子生成方法及装置是由刘昂;王宁波;李子申;李昂设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全球电离层模型精度因子生成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全球电离层模型精度因子生成方法及装置，属于卫星导航与电离层建模技术领域。所述方法包括：基于载波相位平滑伪距反演电离层垂直总电子含量；利用全球电离层格网地图提取电离层未建模误差；分析误差的偏度与峰度分布特性；结合经验误差优化与实测误差驱动，重构电离层模型精度因子，并通过引入监测点分类、尺度调节因子、膨胀因子时间平滑等机制提升精度因子的可靠性与稳定性；进一步提出电离层误差精度一致性图及RMS包络概率指标，验证精度因子与实测误差的一致性。本发明能够生成真实反映电离层误差统计特性的精度因子，为高精度GNSS定位中的电离层随机模型构建提供有效支撑，显著提升定位精度与收敛性能。

本发明授权一种全球电离层模型精度因子生成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种全球电离层模型精度因子生成方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S1、基于载波相位平滑伪距反演得到电离层穿刺点处的垂直总电子含量VTEC实测值； 步骤S2、利用全球电离层格网地图GIM，通过插值获取所述穿刺点处的VTEC模型值，并计算所述VTEC实测值与VTEC模型值的差值作为电离层未建模误差； 步骤S3、分析所述电离层未建模误差的分布特性； 步骤S4、基于所述分布特性对GIM模型的内符合精度进行优化，并利用穿刺点处的实际观测残差进行驱动更新，计算得到电离层模型精度因子；其中，根据所述偏度和峰度计算改善因子，并利用该改善因子对GIM模型的验后中误差进行优化；包括：将GIM格网点划分为监测点与未监测点：在以格网点为中心、设定半径为搜索范围的区域内，若电离层穿刺点观测数量大于设定阈值，则定义该格网点为监测点，否则为未监测点； 基于优化后的验后中误差、以及格网点搜索域内观测残差的均方根误差，计算基础精度估值；将所述基础精度估值，与根据格网点状态设定的尺度调节因子、与搜索域内穿刺点观测数量相关的权重调节因子、以及经时间平滑处理的膨胀因子相乘，得到电离层模型精度因子； 所述尺度调节因子对于监测点取第一值，对于未监测点取大于第一值的第二值；所述权重调节因子与所述搜索域内穿刺点观测数量负相关；所述膨胀因子根据当前时刻及历史时刻的观测信息数量进行平滑计算，以保持时域稳定性； 步骤S5、利用电离层误差精度一致性判断所述精度因子的可用性，若可用，进入下一步； 步骤S6、输出最终的全球电离层模型精度因子。

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