长春光华微电子设备工程中心有限公司田玉鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉长春光华微电子设备工程中心有限公司申请的专利一种用于超薄晶圆的多参数逐层激光隐切方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121373850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511952353.6，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种用于超薄晶圆的多参数逐层激光隐切方法及装置是由田玉鑫;马健;邢鹏展;何艳;常丰吉;王震;董子煜;贺霖设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于超薄晶圆的多参数逐层激光隐切方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于超薄晶圆的多参数逐层激光隐切方法及装置，涉及激光切割领域，包括：根据激光隐切模型配置对待切割晶圆进行隐切的隐切策略，其中，激光隐切模型包括晶圆参数与隐切参数的映射关系；基于隐切策略对待切割晶圆进行隐切，包括：将待切割晶圆从上到下划分为表层、中间层和底层；自动调整激光焦点的位置使其分别聚焦于表层、中间层和底层；采用不同的隐切参数依次对表层、中间层和底层进行至少三次切割；其中，表层和底层的厚度相同，且，中间层的厚度大于表层和底层的厚度。本申请实现了激光功率、脉冲频率、扫描速度等参数的协同调整，通过不同参数间的交互作用，为不同加工需求提供最优参数方案。
本发明授权一种用于超薄晶圆的多参数逐层激光隐切方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于超薄晶圆的多参数逐层激光隐切方法，其特征在于，包括： S101：根据激光隐切模型配置对待切割晶圆进行隐切的隐切策略，其中，所述激光隐切模型包括晶圆参数与隐切参数的映射关系； S102：基于所述隐切策略对所述待切割晶圆进行隐切，包括：将所述待切割晶圆从上到下划分为表层、中间层和底层；自动调整激光焦点的位置使其分别聚焦于所述表层、中间层和底层；采用不同的所述隐切参数依次对所述表层、中间层和底层进行至少三次切割； 其中，所述表层和底层的厚度相同，且所述中间层的厚度大于所述表层和底层的厚度。
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