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龙图腾网获悉深圳芯源新材料有限公司申请的专利金属预制片、半导体器件及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511936428.1，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权金属预制片、半导体器件及封装方法是由杨帆;黄超;姜亮;胡博设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属预制片、半导体器件及封装方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种金属预制片、半导体器件及封装方法，所述金属预制片中第一烧结层设置在金属层的第一面；第二烧结层设置在金属层的第二面；热分解键合胶至少设置在第一烧结层或第二烧结层上，热分解键合胶将第一烧结层预固定在待贴装芯片或将第二烧结层预固定在基板；热分解键合胶在烧结达到第一预设温度时产生挥发分解，使第一烧结层连接在待贴装芯片或第二烧结层连接在基板，实现金属预制片在芯片或基板上的精准且牢固临时固定，避免芯片在烧结前易在基板上脱落或偏移，并且确保热分解键合胶在烧结过程中完全且无残留地排出，最终获得洁净、高强的烧结互连界面，避免热分解键合胶对芯片造成污染，提高了金属预制片烧结的可靠性。

本发明授权金属预制片、半导体器件及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，应用于半导体器件，所述封装方法包括： 将金属预制片设置在基板上； 将待贴装芯片设置在所述金属预制片上，形成第一半成品，所述金属预制片包括：金属层，所述金属层具有相对的第一面和第二面；第一烧结层，所述第一烧结层设置在所述金属层的第一面；第二烧结层，所述第二烧结层设置在所述金属层的第二面；热分解键合胶，所述热分解键合胶至少设置在所述第一烧结层或所述第二烧结层上，所述热分解键合胶用于将所述第一烧结层预固定在待贴装芯片或将所述第二烧结层预固定在基板，所述热分解键合胶还用于在烧结达到第一预设温度时产生挥发分解，使所述第一烧结层连接在待贴装芯片或所述第二烧结层连接在所述基板； 基于第二预设温度，对所述第一半成品进行加热，固化所述金属预制片的热分解键合胶，使所述金属预制片至少预固定在所述待贴装芯片或所述基板，以形成第二半成品； 基于第三预设温度，对所述第二半成品进行烧结，将所述金属预制片的热分解键合胶挥发分解，使所述金属预制片连接所述待贴装芯片和所述基板，以得到半导体器件。

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